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IRG4PC50UD-EPBF	文件：100 bytes Page：1 Pages	Package：TO-247-3；包装：卷带（TR）类别：分立半导体产品晶体管 - UGBT、MOSFET - 单描述：IGBT 600V 55A 200W TO247-3	Infineon 英飞凌	Infineon
IRG4PC50UDPBF	文件：688.41 Kbytes Page：10 Pages	INSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTOR WITH ULTRAFAST SOFT RECOVERY DIODE VCES = 600V VCE(on) typ. = 1.65V @VGE = 15V, IC = 27A Features • UltraFast: Optimized for high operating frequencies 8-40 kHz in hard switching, >200 kHz in resonant mode • Generation 4 IGBT design provides tighter parameter distribution and higher efficiency than Generation 3 • IGBT co-pack 文件：688.41 Kbytes 页数：10 Pages	IRF	IRF
IRG4PC50UDPBF	文件：697.54 Kbytes Page：11 Pages	INSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTOR WITH ULTRAFAST SOFT RECOVERY DIODE 文件：697.54 Kbytes 页数：11 Pages	IRF	IRF
IRG4PC50UPBF	文件：640.23 Kbytes Page：9 Pages	INSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTOR UltraFast Speed IGBT VCES= 600V VCE(on) typ. = 1.65V @VGE = 15V, IC = 27A Features • UltraFast: Optimized for high operating frequencies 8-40 kHz in hard switching, >200 kHz in resonant mode • Generation 4 IGBT design provides tighter parameter distribution and higher efficiency than Generation 3 • Industry stan 文件：640.23 Kbytes 页数：9 Pages	IRF	IRF

产品属性

产品编号：
IRG4PC50UD-EPBF
制造商：
Infineon Technologies
类别：
分立半导体产品 > 晶体管 - UGBT、MOSFET - 单
包装：
卷带（TR）
不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）：
2V @ 15V，27A
开关能量：
990µJ（开），590µJ（关）
输入类型：
标准
25°C 时 Td（开/关）值：
46ns/140ns
测试条件：
480V，27A，5 欧姆，15V
工作温度：
-55°C ~ 150°C（TJ）
安装类型：
通孔
封装/外壳：
TO-247-3
供应商器件封装：
TO-247AC
描述：
IGBT 600V 55A 200W TO247-3

供应商	型号	品牌	批号	封装	库存	备注	价格
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更多IRG4PC50UD-E供应商更新时间2025-12-22 14:30:00

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