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IRG4IBC30FD	文件：223.94 Kbytes Page：10 Pages	INSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTOR WITH ULTRAFAST SOFT RECOVERY DIODE Features •VeryLow1.59Vvotagedrop •2.5kV,60sinsulationvoltage •4.8mmcreapagedistancetoheatsink •Fast:Optimizedformediumoperating frequencies(1-5kHzinhardswitching,>20 kHzinresonantmode). •IGBTco-packagedwithHEXFREDTMultrafast, ultrasoftrecovery	IRF International Rectifier	IRF
IRG4IBC30FD	文件：100 bytes Page：1 Pages	Package：TO-220-3 整包；包装：管件类别：分立半导体产品晶体管 - UGBT、MOSFET - 单描述：IGBT 600V 20.3A 45W TO220FP	InfineonInfineon Technologies AG 英飞凌英飞凌科技股份公司	Infineon
IRG4IBC30FDPBF	文件：100 bytes Page：1 Pages	Package：TO-220-3 整包；包装：管件类别：分立半导体产品晶体管 - UGBT、MOSFET - 单描述：IGBT 600V 20.3A 45W TO220FP	InfineonInfineon Technologies AG 英飞凌英飞凌科技股份公司	Infineon
IRG4IBC30KD	文件：195.54 Kbytes Page：10 Pages	INSULATEDGATEBIPOLARTRANSISTORWITHULTRAFASTSOFTRECOVERYDIODE	IRF International Rectifier	IRF
IRG4IBC30KDPBF	文件：339.04 Kbytes Page：10 Pages	INSULATEDGATEBIPOLARTRANSISTORWITHULTRAFASTSOFTTECOVERYDIODE	IRF International Rectifier	IRF
IRG4IBC30KDPBF	文件：347.66 Kbytes Page：11 Pages	INSULATEDGATEBIPOLARTRANSISTORWITHULTRAFASTSOFTRECOVERYDIODE Features •Highswitchingspeedoptimizedforupto25kHz withlowVCE(on) •ShortCircuitRating10µs@125°C,VGE=15V •Generation4IGBTdesignprovidestighter parameterdistributionandhigherefficiencythan previousgeneration •IGBTco-packagedwithHEXFREDTMultrafast,	IRF International Rectifier	IRF
IRG4IBC30S	文件：126.17 Kbytes Page：8 Pages	INSULATEDGATEBIPOLARTRANSISTOR	IRF International Rectifier	IRF
IRG4IBC30SPBF	文件：239.44 Kbytes Page：8 Pages	INSULATEDGATEBIPOLARTRANSISTOR	IRF International Rectifier	IRF
IRG4IBC30SPBF	文件：197.92 Kbytes Page：9 Pages	INSULATEDGATEBIPOLARTRANSISTOR Features •Standard:Optimizedforminimumsaturation voltageandlowoperatingfreqencies(	IRF International Rectifier	IRF
IRG4IBC30UD	文件：227.86 Kbytes Page：10 Pages	INSULATEDGATEBIPOLARTRANSISTORWITHULTRAFASTSOFTRECOVERYDIODE Features •2.5kV,60sinsulationvoltage •4.8mmcreapagedistancetoheatsink •UltraFast:Optimizedforhighoperating frequencies8-40kHzinhardswitching,>200 kHzinresonantmode •IGBTco-packagedwithHEXFREDTMultrafast, ultrasoftrecoveryantiparalleldiodes •Tighter	IRF International Rectifier	IRF

产品属性

产品编号：
IRG4IBC30FD
制造商：
Infineon Technologies
类别：
分立半导体产品 > 晶体管 - UGBT、MOSFET - 单
包装：
管件
不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）：
1.8V @ 15V，17A
开关能量：
630µJ（开），1.39mJ（关）
输入类型：
标准
25°C 时 Td（开/关）值：
42ns/230ns
测试条件：
480V，17A，23 欧姆，15V
工作温度：
-55°C ~ 150°C（TJ）
安装类型：
通孔
封装/外壳：
TO-220-3 整包
供应商器件封装：
PG-TO220-FP
描述：
IGBT 600V 20.3A 45W TO220FP

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深圳市明嘉莱科技有限公司	IRG4IBC30FD	IR	24+	TO 220F	161189	明嘉莱只做原装正品现货	询价
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更多IRG4IBC30FD供应商更新时间2025-7-24 14:34:00

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