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IRG4IBC30FD	文件：223.94 Kbytes Page：10 Pages	INSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTOR WITH ULTRAFAST SOFT RECOVERY DIODE Features • Very Low 1.59V votage drop • 2.5kV, 60s insulation voltage • 4.8 mm creapage distance to heatsink • Fast: Optimized for medium operating frequencies ( 1-5 kHz in hard switching, >20 kHz in resonant mode). • IGBT co-packaged with HEXFREDTM ultrafast, ultrasoft recovery 文件：223.94 Kbytes 页数：10 Pages	IRF	IRF
IRG4IBC30FD	文件：100 bytes Page：1 Pages	Package：TO-220-3 整包；包装：管件类别：分立半导体产品晶体管 - UGBT、MOSFET - 单描述：IGBT 600V 20.3A 45W TO220FP	INFINEON 英飞凌	INFINEON
IRG4IBC30FDPBF	文件：100 bytes Page：1 Pages	Package：TO-220-3 整包；包装：管件类别：分立半导体产品晶体管 - UGBT、MOSFET - 单描述：IGBT 600V 20.3A 45W TO220FP	INFINEON 英飞凌	INFINEON
IRG4IBC30KD	文件：195.54 Kbytes Page：10 Pages	INSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTOR WITH ULTRAFAST SOFT RECOVERY DIODE 文件：195.54 Kbytes 页数：10 Pages	IRF	IRF
IRG4IBC30KDPBF	文件：347.66 Kbytes Page：11 Pages	INSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTOR WITH ULTRAFAST SOFT RECOVERY DIODE Features • High switching speed optimized for up to 25kHz with low VCE(on) • Short Circuit Rating 10µs @ 125°C, VGE = 15V • Generation 4 IGBT design provides tighter parameter distribution and higher efficiency than previous generation • IGBT co-packaged with HEXFREDTM ultrafast, 文件：347.66 Kbytes 页数：11 Pages	IRF	IRF
IRG4IBC30KDPBF	文件：339.04 Kbytes Page：10 Pages	INSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTOR WITH ULTRAFAST SOFT TECOVERY DIODE 文件：339.04 Kbytes 页数：10 Pages	IRF	IRF

产品属性

产品编号：
IRG4IBC30FD
制造商：
Infineon Technologies
类别：
分立半导体产品 > 晶体管 - UGBT、MOSFET - 单
包装：
管件
不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）：
1.8V @ 15V，17A
开关能量：
630µJ（开），1.39mJ（关）
输入类型：
标准
25°C 时 Td（开/关）值：
42ns/230ns
测试条件：
480V，17A，23 欧姆，15V
工作温度：
-55°C ~ 150°C（TJ）
安装类型：
通孔
封装/外壳：
TO-220-3 整包
供应商器件封装：
PG-TO220-FP
描述：
IGBT 600V 20.3A 45W TO220FP

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更多IRG4IBC30FD供应商更新时间2026-1-25 8:10:00

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