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IRG4BC20UDS	文件：235.04 Kbytes Page：11 Pages	INSULATEDGATEBIPOLARTRANSISTORWITHULTRAFASTSOFTRECOVERYDIODE(Vces=600V,Vce(on)typ.=1.85V,@Vge=15V,Ic=6.5A) INSULATEDGATEBIPOLARTRANSISTORWITHULTRAFASTSOFTRECOVERYDIODE Features •UltraFast:Optimizedforhighoperatingfrequencies8-40kHzinhardswitching,>200kHzinresonant mode •Generation4IGBTdesignprovidestighterparameterdistributionandhigherefficiencythanGenera	IRFInternational Rectifier 英飞凌英飞凌科技公司	IRF
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IRG4BC20UDSTRRP	文件：256.209 Kbytes Page：13 Pages	INSULATEDGATEBIPOLARTRANSISTORWITHULTRAFASTSOFTRECOVERYDIODE Features •UltraFast:Optimizedforhighoperatingfrequencies 8-40kHzinhardswitching,>200kHzinresonant mode •Generation4IGBTdesignprovidestighterparameter distributionandhigherefficiencythan Generation3 •IGBTco-packagedwithHEXFREDTMultrafast, ultra-	IRFInternational Rectifier 英飞凌英飞凌科技公司	IRF
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IRG4BC20W	文件：130.259 Kbytes Page：8 Pages	INSULATEDGATEBIPOLARTRANSISTOR(Vces=600V,Vce(on)typ.=2.16V,@Vge=15V,Ic=6.5A) Features •DesignedexpresslyforSwitch-ModePowerSupplyandPFC(powerfactorcorrection)applications •Industry-benchmarkswitchinglossesimproveefficiencyofallpowersupplytopologies •50reductionofEoffparameter •LowIGBTconductionlosses •Latest-generationIGBTde	IRFInternational Rectifier 英飞凌英飞凌科技公司	IRF
IRG4BC20WPBF	文件：209.42 Kbytes Page：9 Pages	INSULATEDGATEBIPOLARTRANSISTOR Features •DesignedexpresslyforSwitch-ModePowerSupplyandPFC(powerfactorcorrection)applications •Industry-benchmarkswitchinglossesimproveefficiencyofallpowersupplytopologies •50reductionofEoffparameter •LowIGBTconductionlosses •Latest-generationIGBTdesignandc	IRFInternational Rectifier 英飞凌英飞凌科技公司	IRF
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IRG4BC20WS	文件：152.24 Kbytes Page：9 Pages	INSULATEDGATEBIPOLARTRANSISTOR(Vces=600V,Vce(on)typ.=2.16V,@Vge=15V,Ic=6.5A) Features •DesignedexpresslyforSwitch-ModePowerSupplyandPFC(powerfactorcorrection)applications •Industry-benchmarkswitchinglossesimproveefficiencyofallpowersupplytopologies •50reductionofEoffparameter •LowIGBTconductionlosses •Latest-generationIGBTde	IRFInternational Rectifier 英飞凌英飞凌科技公司	IRF
IRG4BC20W-S	文件：152.24 Kbytes Page：9 Pages	INSULATEDGATEBIPOLARTRANSISTOR(Vces=600V,Vce(on)typ.=2.16V,@Vge=15V,Ic=6.5A) Features •DesignedexpresslyforSwitch-ModePowerSupplyandPFC(powerfactorcorrection)applications •Industry-benchmarkswitchinglossesimproveefficiencyofallpowersupplytopologies •50reductionofEoffparameter •LowIGBTconductionlosses •Latest-generationIGBTde	IRFInternational Rectifier 英飞凌英飞凌科技公司	IRF
IRG4BC20W-SPBF	文件：212.93 Kbytes Page：10 Pages	INSULATEDGATEBIPOLARTRANSISTOR Features •DesignedexpresslyforSwitch-ModePowerSupplyandPFC(powerfactorcorrection)applications •Industry-benchmarkswitchinglossesimproveefficiencyofallpowersupplytopologies •50reductionofEoffparameter •LowIGBTconductionlosses •Latest-generationIGBTdesignandc	IRFInternational Rectifier 英飞凌英飞凌科技公司	IRF
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产品属性

产品编号：
IRG4BC20FPBF
制造商：
Infineon Technologies
类别：
分立半导体产品 > 晶体管 - UGBT、MOSFET - 单
包装：
管件
不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）：
2V @ 15V，9A
开关能量：
70µJ（开），600µJ（关）
输入类型：
标准
25°C 时 Td（开/关）值：
24ns/190ns
测试条件：
480V，9A，50 欧姆，15V
工作温度：
-55°C ~ 150°C（TJ）
安装类型：
通孔
封装/外壳：
TO-220-3
供应商器件封装：
TO-220AB
描述：
IGBT 600V 16A 60W TO220AB

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更多IRG4BC20FPBF供应商更新时间2024-5-25 12:00:00

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