IRG4BC20FD-S规格书贸易商英飞凌IRF-114ic电子网

首页 >IRG4BC20FD-S>规格书列表

型号	下载订购	功能描述	制造商上传企业	LOGO
IRG4BC20FD-S	文件：222.11 Kbytes Page：10 Pages	INSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTOR WITH ULTRAFAST SOFT RECOVERY DIODE(Vces=600V, Vce(on)typ.=1.66V, @Vge=15V, Ic=9.0A) Features • Fast: Optimized for medium operating frequencies ( 1-5 kHz in hard switching, >20 kHz in resonant mode). • Generation 4 IGBT design provides tighter parameter distribution and higher efficiency than Generation 3 • IGBT co-packaged with HEXFREDTM ultrafast, ultra-soft-recovery anti-pa 文件：222.11 Kbytes 页数：10 Pages	IRF	IRF
IRG4BC20FD-SPBF	文件：298.44 Kbytes Page：12 Pages	INSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTOR WITH ULTRAFAST SOFT RECOVERY DIODE Fast CoPack IGBT Features • Fast: Optimized for medium operating frequencies ( 1-5 kHz in hard switching, >20 kHz in resonant mode). • Generation 4 IGBT design provides tighter parameter distribution and higher efficiency than Generation 3 • IGBT co-packaged with HEXFREDTM ultrafast, ultra-soft-recovery anti-pa 文件：298.44 Kbytes 页数：12 Pages	IRF	IRF
IRG4BC20FD-STRL	文件：222.11 Kbytes Page：10 Pages	INSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTOR WITH ULTRAFAST SOFT RECOVERY DIODE(Vces=600V, Vce(on)typ.=1.66V, @Vge=15V, Ic=9.0A) Features • Fast: Optimized for medium operating frequencies ( 1-5 kHz in hard switching, >20 kHz in resonant mode). • Generation 4 IGBT design provides tighter parameter distribution and higher efficiency than Generation 3 • IGBT co-packaged with HEXFREDTM ultrafast, ultra-soft-recovery anti-pa 文件：222.11 Kbytes 页数：10 Pages	IRF	IRF
IRG4BC20FD-S	文件：100 bytes Page：1 Pages	Package：TO-263-3，D²Pak（2 引线 + 接片），TO-263AB；包装：管件类别：分立半导体产品晶体管 - UGBT、MOSFET - 单描述：IGBT 600V 16A 60W D2PAK	INFINEON 英飞凌	INFINEON
IRG4BC20FD-SPBF	文件：300 bytes Page：1 Pages	INSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTOR WITH ULTRAFAST SOFT RECOVERY DIODE Fast CoPack IGBT	Infineon 英飞凌	Infineon
IRG4BC20FD-STRL	文件：100 bytes Page：1 Pages	Package：TO-263-3，D²Pak（2 引线 + 接片），TO-263AB；包装：管件类别：分立半导体产品晶体管 - UGBT、MOSFET - 单描述：IGBT 600V 16A 60W D2PAK	INFINEON 英飞凌	INFINEON
IRG4BC20FD-STRR	文件：100 bytes Page：1 Pages	Package：TO-263-3，D²Pak（2 引线 + 接片），TO-263AB；包装：管件类别：分立半导体产品晶体管 - UGBT、MOSFET - 单描述：IGBT 600V 16A 60W D2PAK	INFINEON 英飞凌	INFINEON

产品属性

产品编号：
IRG4BC20FD-S
制造商：
Infineon Technologies
类别：
分立半导体产品 > 晶体管 - UGBT、MOSFET - 单
包装：
管件
不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）：
2V @ 15V，9A
开关能量：
250µJ（开），640µJ（关）
输入类型：
标准
25°C 时 Td（开/关）值：
43ns/240ns
测试条件：
480V，9A，50 欧姆，15V
工作温度：
-55°C ~ 150°C（TJ）
安装类型：
表面贴装型
封装/外壳：
TO-263-3，D²Pak（2 引线 + 接片），TO-263AB
供应商器件封装：
D2PAK
描述：
IGBT 600V 16A 60W D2PAK

供应商	型号	品牌	批号	封装	库存	备注	价格
深圳市勤思达科技有限公司	IRG4BC20FD-S	IR	2015+	D2-Pak	12500	全新原装,现货库存长期供应	询价
芯有半导体（深圳）有限公司	IRG4BC20FD-S	IR	05+	原厂原装	1851	只做全新原装真实现货供应	询价
深圳市弘为电子有限公司	IRG4BC20FD-S	IR	24+	原厂封装	99	原装现货假一罚十	询价
深圳市一线半导体有限公司	IRG4BC20FD-S	IR	24+	D2-Pak	8866		询价
深圳市科雨电子有限公司	IRG4BC20FD-S	INFINEON	25+	TO-263	3000	就找我吧!--邀您体验愉快问购元件!	询价
深圳市易讯博科技有限公司	IRG4BC20FD-S	Infineon	22+	NA	2118	加我QQ或微信咨询更多详细信息,	询价
深圳市威尔健半导体有限公司	IRG4BC20FD-S	IR	23+	TO-263	50000	全新原装正品现货,支持订货	询价
深圳市胜彬电子有限公司	IRG4BC20FD-S	IR	22+	SOT263	8000	原装正品支持实单	询价
深圳市亿智腾科技有限公司	IRG4BC20FD-S	Infineon Technologies	24+	原装	5000	原装正品,提供BOM配单服务	询价
深圳市赛美科科技有限公司	IRG4BC20FD-S	IR		SOT-263	6294	一级代理原装正品假一罚十价格优势长期供货	询价

更多IRG4BC20FD-S供应商更新时间2026-2-1 11:04:00

客户服务网站合作

Tel：0755 8246 9263
Email：kf＠114ic.com
投诉建议：kf@114ic.com

Copyright © 2003-2026 114ic.com All Rights Reserved 粤ICP备05011613号粤公网安备 44030402000933号