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ISPW35N60CFD	文件：335.61 Kbytes Page：2 Pages	N-ChannelMOSFETTransistor •DESCRITION •Highpeakcurrentcapability •FEATURES •Staticdrain-sourceon-resistance: RDS(on)≤118mΩ •Enhancementmode: •100avalanchetested •MinimumLot-to-Lotvariationsforrobustdevice performanceandreliableoperation	ISCInchange Semiconductor Company Limited 无锡固电无锡固电半导体股份有限公司	ISC
IXDH35N60B	文件：101.3 Kbytes Page：4 Pages	IGBTwithoptionalDiode HighSpeed,LowSaturationVoltage Features ●NPTIGBTtechnology ●lowswitchinglosses ●lowtailcurrent ●nolatchup ●shortcircuitcapability ●positivetemperaturecoefficientforeasyparalleling ●MOSinput,voltagecontrolled ●optionalultrafastdiode ●Internationalstandard	IXYS IXYS Corporation	IXYS
IXDP35N60B	文件：101.3 Kbytes Page：4 Pages	IGBTwithoptionalDiode HighSpeed,LowSaturationVoltage Features ●NPTIGBTtechnology ●lowswitchinglosses ●lowtailcurrent ●nolatchup ●shortcircuitcapability ●positivetemperaturecoefficientforeasyparalleling ●MOSinput,voltagecontrolled ●optionalultrafastdiode ●Internationalstandard	IXYS IXYS Corporation	IXYS
SIHB35N60E	文件：162.62 Kbytes Page：7 Pages	ESeriesPowerMOSFET	VishayVishay Siliconix 威世科技威世科技半导体	Vishay
SIHB35N60E	文件：215.86 Kbytes Page：9 Pages	ESeriesPowerMOSFET	VishayVishay Siliconix 威世科技威世科技半导体	Vishay
SIHB35N60EF	文件：192.22 Kbytes Page：10 Pages	EFSeriesPowerMOSFETWithFastBodyDiode	VishayVishay Siliconix 威世科技威世科技半导体	Vishay
SIHF35N60E	文件：151.17 Kbytes Page：7 Pages	ESeriesPowerMOSFET	VishayVishay Siliconix 威世科技威世科技半导体	Vishay
SIHF35N60E	文件：183.32 Kbytes Page：9 Pages	ESeriesPowerMOSFET FEATURES •Aspecificonresistance(m-cm2)reductionof 25 •Lowfigure-of-merit(FOM)RonxQg •Lowinputcapacitance(Ciss) •Reducedswitchingandconductionlosses •Ultralowgatecharge(Qg) •Avalancheenergyrated(UIS) •Materialcategorization:fordefinitionsofcompliance	VishayVishay Siliconix 威世科技威世科技半导体	Vishay
SIHF35N60EF	文件：155.27 Kbytes Page：10 Pages	EFSeriesPowerMOSFETWithFastBodyDiode FEATURES •Aspecificonresistance(mΩ-cm2)reductionof 25 •Lowfigure-of-merit(FOM)RonxQg •Lowinputcapacitance(Ciss) •Reducedswitchingandconductionlosses •Ultralowgatecharge(Qg) •Avalancheenergyrated(UIS) •Materialcategorization:fordefinitionsofcompliance	VishayVishay Siliconix 威世科技威世科技半导体	Vishay
SIHG35N60E	文件：154.48 Kbytes Page：7 Pages	ESeriesPowerMOSFET	VishayVishay Siliconix 威世科技威世科技半导体	Vishay

详细参数

型号：
IRFBA35N60C
功能描述：
TRANSISTOR | MOSFET | N-CHANNEL | 600V V(BR)DSS | 35A I(D) | TO-273AA

供应商	型号	品牌	批号	封装	库存	备注	价格
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更多IRFBA35N60C供应商更新时间2025-5-17 14:00:00

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