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IRFB9N65A	文件：102.48 Kbytes Page：8 Pages	Power MOSFET(Vdss=650V, Rds(on)max=0.93ohm, Id=8.5A) HEXFET® Power MOSFET Benefits ● Low Gate Charge Qg results in Simple Drive Requirement ● Improved Gate, Avalanche and Dynamic dv/dt Ruggedness ● Fully Characterized Capacitance and Avalanche Voltage and Current Applications ● Switch Mode Power Supply (SMPS) ● Uninterruptible Power Supply ● 文件：102.48 Kbytes 页数：8 Pages	IRF	IRF
IRFB9N65A	文件：329.14 Kbytes Page：2 Pages	iscN-Channel MOSFET Transistor 文件：329.14 Kbytes 页数：2 Pages	ISC 无锡固电	ISC
IRFB9N65A	文件：158.11 Kbytes Page：8 Pages	Power MOSFET 文件：158.11 Kbytes 页数：8 Pages	VishayVishay Siliconix 威世	Vishay
IRFB9N65A	文件：180.51 Kbytes Page：9 Pages	Power MOSFET 文件：180.51 Kbytes 页数：9 Pages	VishayVishay Siliconix 威世	Vishay
IRFB9N65APBF	文件：129.94 Kbytes Page：8 Pages	SMPS MOSFET HEXFET® Power MOSFET Benefits ● Low Gate Charge Qg results in Simple Drive Requirement ● Improved Gate, Avalanche and Dynamic dv/dt Ruggedness ● Fully Characterized Capacitance and Avalanche Voltage and Current Applications ● Switch Mode Power Supply (SMPS) ● Uninterruptible Power Supply ● 文件：129.94 Kbytes 页数：8 Pages	IRF	IRF
IRFB9N65APBF.	文件：129.94 Kbytes Page：8 Pages	SMPS MOSFET HEXFET® Power MOSFET Benefits ● Low Gate Charge Qg results in Simple Drive Requirement ● Improved Gate, Avalanche and Dynamic dv/dt Ruggedness ● Fully Characterized Capacitance and Avalanche Voltage and Current Applications ● Switch Mode Power Supply (SMPS) ● Uninterruptible Power Supply ● 文件：129.94 Kbytes 页数：8 Pages	IRF	IRF
IRFB9N65A_V01	文件：180.51 Kbytes Page：9 Pages	Power MOSFET 文件：180.51 Kbytes 页数：9 Pages	VishayVishay Siliconix 威世	Vishay
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IRFB9N65APBF-BE3	文件：180.51 Kbytes Page：9 Pages	Power MOSFET 文件：180.51 Kbytes 页数：9 Pages	VishayVishay Siliconix 威世	Vishay

详细参数

型号：
IRFB9N65A
功能描述：
MOSFET N-Chan 650V 8.5 Amp
RoHS：
否
制造商：
STMicroelectronics
晶体管极性：
N-Channel
汲极/源极击穿电压：
650 V
闸/源击穿电压：
25 V
漏极连续电流：
130 A 电阻汲极/源极
RDS（导通）：
0.014 Ohms
配置：
Single
安装风格：
Through Hole
封装/箱体：
Max247
封装：
Tube

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更多IRFB9N65A供应商更新时间2025-10-10 15:32:00

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