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IRFB9N65A规格书详情
HEXFET® Power MOSFET
Benefits
● Low Gate Charge Qg results in Simple Drive Requirement
● Improved Gate, Avalanche and Dynamic dv/dt Ruggedness
● Fully Characterized Capacitance and Avalanche Voltage and Current
Applications
● Switch Mode Power Supply (SMPS)
● Uninterruptible Power Supply
● High Speed Power Switching
产品属性
- 型号：
IRFB9N65A
- 功能描述：
MOSFET N-Chan 650V 8.5 Amp
- RoHS：
否
- 制造商：
STMicroelectronics
- 晶体管极性：
N-Channel
- 汲极/源极击穿电压：
650 V
- 闸/源击穿电压：
25 V
- 漏极连续电流：
130 A 电阻汲极/源极
- RDS（导通）：
0.014 Ohms
- 配置：
Single
- 安装风格：
Through Hole
- 封装/箱体：
Max247
- 封装：
Tube
| 供应商 | 型号 | 品牌 | 批号 | 封装 | 库存 | 备注 | 价格 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|
IR |
24+ |
TO-220 |
80000 |
只做自己库存,全新原装进口正品假一赔百,可开13%增 |
询价 | ||
IR |
24+ |
TO-220 |
6000 |
全新原装深圳仓库现货有单必成 |
询价 | ||
IR |
24+ |
TO |
1000 |
大批量供应优势库存热卖 |
询价 | ||
IR |
24+ |
NA/ |
13133 |
优势代理渠道,原装正品,可全系列订货开增值税票 |
询价 | ||
VISHAY/威世 |
22+ |
100000 |
代理渠道/只做原装/可含税 |
询价 | |||
VISHAY |
24+/25+ |
TO-220AB |
900 |
原装正品现货库存价优 |
询价 | ||
VISHAY/威世 |
24+ |
NA |
30000 |
房间原装现货特价热卖,有单详谈 |
询价 | ||
IR |
23+ |
TO-220 |
25630 |
原装正品 |
询价 | ||
IR/VISHAY |
20+ |
TO-220AB |
36900 |
原装优势主营型号-可开原型号增税票 |
询价 | ||
VISHAY/威世 |
22+ |
TO-220 |
20000 |
保证原装正品,假一陪十 |
询价 |
