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IRFB9N65A规格书详情
HEXFET® Power MOSFET
Benefits
● Low Gate Charge Qg results in Simple Drive Requirement
● Improved Gate, Avalanche and Dynamic dv/dt Ruggedness
● Fully Characterized Capacitance and Avalanche Voltage and Current
Applications
● Switch Mode Power Supply (SMPS)
● Uninterruptible Power Supply
● High Speed Power Switching
产品属性
- 型号：
IRFB9N65A
- 功能描述：
MOSFET N-Chan 650V 8.5 Amp
- RoHS：
否
- 制造商：
STMicroelectronics
- 晶体管极性：
N-Channel
- 汲极/源极击穿电压：
650 V
- 闸/源击穿电压：
25 V
- 漏极连续电流：
130 A 电阻汲极/源极
- RDS（导通）：
0.014 Ohms
- 配置：
Single
- 安装风格：
Through Hole
- 封装/箱体：
Max247
- 封装：
Tube
| 供应商 | 型号 | 品牌 | 批号 | 封装 | 库存 | 备注 | 价格 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|
Vishay |
24+ |
NA |
3000 |
进口原装正品优势供应 |
询价 | ||
IR/VISH |
24+ |
65230 |
询价 | ||||
IR |
1923+ |
TO-220 |
6896 |
原装进口现货库存专业工厂研究所配单供货 |
询价 | ||
IR |
23+ |
TO-220 |
12700 |
买原装认准中赛美 |
询价 | ||
IR |
23+ |
TO220 |
50000 |
全新原装正品现货,支持订货 |
询价 | ||
IR |
21+ |
TO-220 |
10000 |
只做原装,质量保证 |
询价 | ||
Vishay(威世) |
23+ |
NA |
20094 |
正纳10年以上分销经验原装进口正品做服务做口碑有支持 |
询价 | ||
VISHAY/威世 |
23+ |
TO-220 |
4500 |
十七年VIP会员,诚信经营，一手货源，原装正品可零售！ |
询价 | ||
IR |
06+ |
TO-220 |
117 |
一级代理,专注军工、汽车、医疗、工业、新能源、电力 |
询价 | ||
VISHAY/威世 |
24+ |
NA |
30000 |
房间原装现货特价热卖,有单详谈 |
询价 |
