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IRFB9N65APBF	文件：129.94 Kbytes Page：8 Pages	SMPS MOSFET HEXFET®PowerMOSFET Benefits ●LowGateChargeQgresultsinSimpleDriveRequirement ●ImprovedGate,AvalancheandDynamicdv/dtRuggedness ●FullyCharacterizedCapacitanceandAvalancheVoltageandCurrent Applications ●SwitchModePowerSupply(SMPS) ●UninterruptiblePowerSupply ●	IRFInternational Rectifier 英飞凌英飞凌科技公司
IRFB9N65APBF	文件：158.11 Kbytes Page：8 Pages	Power MOSFET	VishayVishay Siliconix 威世科技
IRFB9N65APBF	文件：180.51 Kbytes Page：9 Pages	Power MOSFET	VishayVishay Siliconix 威世科技
IRFB9N65APBF-BE3	文件：180.51 Kbytes Page：9 Pages	Power MOSFET	VishayVishay Siliconix 威世科技
9N65	文件：1.10568 Mbytes Page：10 Pages	N-Channel650V(D-S)PowerMOSFET	VBSEMIVBsemi Electronics Co. Ltd 微碧半导体微碧半导体（台湾）有限公司
9N65	文件：67.88 Kbytes Page：2 Pages	FastSwitchingSpeed	ISCInchange Semiconductor Company Limited 无锡固电无锡固电半导体股份有限公司
9N65	文件：177.83 Kbytes Page：5 Pages	9A,650VN-CHANNELPOWERMOSFET	UTCYoushun Technology Co., Ltd 友顺友顺科技股份有限公司
9N65A	文件：961.5 Kbytes Page：6 Pages	9A650VN-channelenhancementmodefieldeffecttransistor	YFWDIODEDONGGUAN YOU FENG WEI ELECTRONICS CO., LTD 佑风微电子广东佑风微电子有限公司
9N65CTI	文件：1.10567 Mbytes Page：10 Pages	N-Channel650V(D-S)PowerMOSFET	VBSEMIVBsemi Electronics Co. Ltd 微碧半导体微碧半导体（台湾）有限公司
9N65K-MT	文件：205.92 Kbytes Page：5 Pages	N-CHANNELPOWERMOSFET	UTCYoushun Technology Co., Ltd 友顺友顺科技股份有限公司
AM9N65P	文件：1.80029 Mbytes Page：4 Pages	N-ChannelMOSFETusesadvancedtrenchtechnology	DOINGTERSHENZHEN DOINGTER SEMICONDUCTOR CO., LTD. 杜因特深圳市杜因特半导体有限公司
AM9N65P	文件：330.71 Kbytes Page：5 Pages	N-Channel650-V(D-S)MOSFET	AnalogPower Analog Power
AM9N65P	文件：1.1056 Mbytes Page：10 Pages	N-Channel650V(D-S)PowerMOSFET	VBSEMIVBsemi Electronics Co. Ltd 微碧半导体微碧半导体（台湾）有限公司
DMG9N65CT	文件：233.29 Kbytes Page：6 Pages	LowInputCapacitance	DIODESDiodes Incorporated 达尔科技
DMG9N65CT	文件：305.35 Kbytes Page：2 Pages	iscN-ChannelMOSFETTransistor	ISCInchange Semiconductor Company Limited 无锡固电无锡固电半导体股份有限公司
DMG9N65CTI	文件：296.33 Kbytes Page：2 Pages	iscN-ChannelMOSFETTransistor	ISCInchange Semiconductor Company Limited 无锡固电无锡固电半导体股份有限公司
DMG9N65CTI	文件：438.34 Kbytes Page：5 Pages	LowInputCapacitance	DIODESDiodes Incorporated 达尔科技
FIR9N65LG	文件：1.42745 Mbytes Page：6 Pages	AdvancedN-ChPowerMOSFET-S	FOSTERShenzhen Foster Semiconductor Co., Ltd. 福斯特半导体深圳市福斯特半导体有限公司
IRFB9N65	文件：102.48 Kbytes Page：8 Pages	PowerMOSFET(Vdss=650V,Rds(on)max=0.93ohm,Id=8.5A) HEXFET®PowerMOSFET Benefits ●LowGateChargeQgresultsinSimpleDriveRequirement ●ImprovedGate,AvalancheandDynamicdv/dtRuggedness ●FullyCharacterizedCapacitanceandAvalancheVoltageandCurrent Applications ●SwitchModePowerSupply(SMPS) ●UninterruptiblePowerSupply ●	IRFInternational Rectifier 英飞凌英飞凌科技公司
IRFB9N65A	文件：102.48 Kbytes Page：8 Pages	PowerMOSFET(Vdss=650V,Rds(on)max=0.93ohm,Id=8.5A) HEXFET®PowerMOSFET Benefits ●LowGateChargeQgresultsinSimpleDriveRequirement ●ImprovedGate,AvalancheandDynamicdv/dtRuggedness ●FullyCharacterizedCapacitanceandAvalancheVoltageandCurrent Applications ●SwitchModePowerSupply(SMPS) ●UninterruptiblePowerSupply ●	IRFInternational Rectifier 英飞凌英飞凌科技公司

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详细参数

型号：
IRFB9N65APBF
功能描述：
MOSFET N-Chan 650V 8.5 Amp
RoHS：
否
制造商：
STMicroelectronics
晶体管极性：
N-Channel
汲极/源极击穿电压：
650 V
闸/源击穿电压：
25 V
漏极连续电流：
130 A 电阻汲极/源极
RDS（导通）：
0.014 Ohms
配置：
Single
安装风格：
Through Hole
封装/箱体：
Max247
封装：
Tube

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更多IRFB9N65APBF供应商更新时间2024-4-23 20:19:00

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