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IRF654B	文件：867.92 Kbytes Page：10 Pages	250V N-Channel MOSFET General Description These N-Channel enhancement mode power field effect transistors are produced using Fairchild’s proprietary, planar, DMOS technology. This advanced technology has been especially tailored to minimize on-state resistance, provide superior switching performance, and withstan 文件：867.92 Kbytes 页数：10 Pages	FairchildFairchild Semiconductor 仙童半导体飞兆/仙童半导体公司	Fairchild
IRF654B	文件：280.37 Kbytes Page：2 Pages	isc N-Channel MOSFET Transistor 文件：280.37 Kbytes 页数：2 Pages	ISC 无锡固电	ISC
IRFI654B	文件：670.72 Kbytes Page：9 Pages	250V N-Channel MOSFET General Description These N-Channel enhancement mode power field effect transistors are produced using Fairchild’s proprietary, planar, DMOS technology. This advanced technology has been especially tailored to minimize on-state resistance, provide superior switching performance, and withstand hi 文件：670.72 Kbytes 页数：9 Pages	FairchildFairchild Semiconductor 仙童半导体飞兆/仙童半导体公司	Fairchild
IRFS654	文件：867.92 Kbytes Page：10 Pages	250V N-Channel MOSFET General Description These N-Channel enhancement mode power field effect transistors are produced using Fairchild’s proprietary, planar, DMOS technology. This advanced technology has been especially tailored to minimize on-state resistance, provide superior switching performance, and withstan 文件：867.92 Kbytes 页数：10 Pages	FairchildFairchild Semiconductor 仙童半导体飞兆/仙童半导体公司	Fairchild
IRFS654A	文件：59 Kbytes Page：2 Pages	isc N-Channel MOSFET Transistor DESCRIPTION · Designed for use in switch mode power supplies and general purpose applications. FEATURES · Avalanche Rugged Technology · Rugged Gate Oxide Technology · Lower Input Capacitance · Improved Gate Charge · Extended Safe Operating Area 文件：59 Kbytes 页数：2 Pages	ISC 无锡固电	ISC

详细参数

型号：
IRF654B
功能描述：
MOSFET 250V N-Channel B-FET
RoHS：
否
制造商：
STMicroelectronics
晶体管极性：
N-Channel
汲极/源极击穿电压：
650 V
闸/源击穿电压：
25 V
漏极连续电流：
130 A 电阻汲极/源极
RDS（导通）：
0.014 Ohms
配置：
Single
安装风格：
Through Hole
封装/箱体：
Max247
封装：
Tube

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