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IRF640NPBF	文件：300.8 Kbytes Page：12 Pages	HEXFET짰PowerMOSFET Description FifthGenerationHEXFET®PowerMOSFETsfromInternationalRectifierutilizeadvancedprocessingtechniquestoachieveextremelylowon-resistancepersiliconarea.Thisbenefit,combinedwiththefastswitchingspeedandruggedizeddevicedesignthatHEXFETPowerMOSFETsarewellknow	IRF International Rectifier	IRF
IRF640NPBF	文件：8.24278 Mbytes Page：11 Pages	AdvancedProcessTechnologyDynamicdv/dtRating175OperatingTemperature Description FifthGenerationHEXFET®PowerMOSFETsfromInternationalRectifierutilizeadvancedprocessingtechniquestoachieveextremelylowon-resistancepersiliconarea.Thisbenefit,combinedwiththefastswitchingspeedandruggedizeddevicedesignthatHEXFETPowerMOSFETsarewellknow	KERSEMI Kersemi Electronic Co., Ltd.	KERSEMI
IRF640NPBF	文件：341.59 Kbytes Page：11 Pages	AdvancedProcessTechnology	IRF International Rectifier	IRF
IRF640NPBF	文件：341.59 Kbytes Page：11 Pages	AdvancedProcessTechnology	IRF International Rectifier	IRF
IRF640NS	文件：160.31 Kbytes Page：11 Pages	N-ChannelPowerMOSFETs200V,18A,0.15ohm Features •UltraLowOn-Resistance -rDS(ON)=0.102Ω(Typ),VGS=10V •SimulationModels -TemperatureCompensatedPSPICE®andSABER© ElectricalModels -SpiceandSABER©ThermalImpedanceModels •PeakCurrentvsPulseWidthCurve •UISRateingCurve	FairchildFairchild Semiconductor 仙童半导体飞兆/仙童半导体公司	Fairchild
IRF640NS	文件：240.04 Kbytes Page：11 Pages	HEXFETPowerMOSFET	IRF International Rectifier	IRF
IRF640NS	文件：155.4 Kbytes Page：11 Pages	PowerMOSFET(Vdss=200V,Rds(on)=0.15ohm,Id=18A) Description FifthGenerationHEXFET®PowerMOSFETsfromInternationalRectifierutilizeadvancedprocessingtechniquestoachieveextremelylowon-resistancepersiliconarea.Thisbenefit,combinedwiththefastswitchingspeedandruggedizeddevicedesignthatHEXFETPowerMOSFETsarewellknow	IRF International Rectifier	IRF
IRF640NS	文件：248.99 Kbytes Page：12 Pages	AdvancedProcessTechnology	IRF International Rectifier	IRF
IRF640NS	文件：1.19709 Mbytes Page：11 Pages	AdvancedProcessTechnology Description TheTO-220packageisuniversallypreferredforallcommercial-industrialapplicationsatpowerdissipationlevelstoapproximately50watts.ThelowthermalresistanceandlowpackagecostoftheTO-220contributetoitswideacceptancethroughouttheindustry. TheD2Pakisasurfac	KERSEMI Kersemi Electronic Co., Ltd.	KERSEMI
IRF640NSPBF	文件：300.8 Kbytes Page：12 Pages	HEXFET짰PowerMOSFET Description FifthGenerationHEXFET®PowerMOSFETsfromInternationalRectifierutilizeadvancedprocessingtechniquestoachieveextremelylowon-resistancepersiliconarea.Thisbenefit,combinedwiththefastswitchingspeedandruggedizeddevicedesignthatHEXFETPowerMOSFETsarewellknow	IRF International Rectifier	IRF

详细参数

型号：
IRF640H
制造商：
HARRIS
功能描述：
IRF640

供应商	型号	品牌	批号	封装	库存	备注	价格
深圳市河锋鑫科技有限公司	IRF640HD	IR	22+	TO-220	6000	终端可免费供样,支持BOM配单	询价
深圳市安富世纪电子有限公司	IRF640HD	IR	23+	TO-220	8000	只做原装现货	询价
天津市博通航睿技术有限公司	IRF640HD	IR	23+	TO-220	7000		询价
深圳市威尔健半导体有限公司	IRF640IC	ST/意法	23+	TO220	50000	全新原装正品现货,支持订货	询价
深圳市昌和盛利电子有限公司	IRF640L	IR	23+	TO-262	35890		询价
深圳市星佑电子有限公司	IRF640L	IR	05+	原厂原装	451	只做全新原装真实现货供应	询价
深圳市一线半导体有限公司	IRF640L	IR	24+	TO-262	8866		询价
齐创科技(上海,北京,青岛)有限公司	IRF640L	IR	23+	TO-220	5000	原装正品,假一罚十	询价
深圳市博浩通科技有限公司	IRF640L	IR	23+	TO-262	7600	全新原装现货	询价
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更多IRF640H供应商更新时间2025-5-25 14:00:00

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