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FDD5810	文件：763.21 Kbytes Page：4 Pages	N-channel Enhancement Mode Power MOSFET Features  VDS= 60V, ID= 30A RDS(ON) 文件：763.21 Kbytes 页数：4 Pages	Bychip 百域芯	Bychip
FDD5810	文件：310.15 Kbytes Page：2 Pages	丝印：DPAK；Package：TO-252；isc N-Channel MOSFET Transistor 文件：310.15 Kbytes 页数：2 Pages	ISC 无锡固电	ISC
FDD5810	文件：266.77 Kbytes Page：7 Pages	N-Channel PowerTrench짰 MOSFET 60V, 35A, 27mOhm 文件：266.77 Kbytes 页数：7 Pages	Fairchild 仙童半导体	Fairchild
FDD5810	文件：359.11 Kbytes Page：7 Pages	N-Channel Logic Level Trench짰 MOSFET 文件：359.11 Kbytes 页数：7 Pages	Fairchild 仙童半导体	Fairchild
FDD5810	文件：454.75 Kbytes Page：7 Pages	N-Channel Logic Level Trench MOSFET 60V, 36A, 27m 文件：454.75 Kbytes 页数：7 Pages	Fairchild 仙童半导体	Fairchild
FDD5810-F085	文件：350.26 Kbytes Page：8 Pages	丝印：FDD5810；Package：TO-252AA；N-Channel Logic Level Trench짰MOSFET 文件：350.26 Kbytes 页数：8 Pages	ONSEMI 安森美半导体	ONSEMI
FDD5810	文件：300 bytes Page：1 Pages	N-Channel PowerTrench® MOSFET 60V, 35A, 27mOhm	ONSEMI 安森美半导体	ONSEMI
FDD5810_07	文件：359.11 Kbytes Page：7 Pages	N-Channel Logic Level Trench짰 MOSFET 文件：359.11 Kbytes 页数：7 Pages	Fairchild 仙童半导体	Fairchild
FDD5810_10	文件：229.74 Kbytes Page：7 Pages	N-Channel Logic Level Trench짰 MOSFET 60V, 36A, 27m\|\|474244 文件：229.74 Kbytes 页数：7 Pages	Fairchild 仙童半导体	Fairchild
FDD5810-F085	文件：454.75 Kbytes Page：7 Pages	N-Channel Logic Level Trench MOSFET 60V, 36A, 27m 文件：454.75 Kbytes 页数：7 Pages	Fairchild 仙童半导体	Fairchild

详细参数

型号：
FDD5810
功能描述：
MOSFET LOW_VOLTAGE
RoHS：
否
制造商：
STMicroelectronics
晶体管极性：
N-Channel
汲极/源极击穿电压：
650 V
闸/源击穿电压：
25 V
漏极连续电流：
130 A 电阻汲极/源极
RDS（导通）：
0.014 Ohms
配置：
Single
安装风格：
Through Hole
封装/箱体：
Max247
封装：
Tube

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更多FDD5810供应商更新时间2025-12-11 20:39:00

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