isc N-Channel MOSFET Transistor

FEATURES ·Drain Current : ID=55A@ TC=25℃ ·Drain Source Voltage : VDSS=30V(Min) ·Static Drain-Source On-Resistance : RDS(on) =11.5mΩ(Max) @VGS= 10V ·100 avalanche tested ·Minimum Lot-to-Lot variations for robust device performance and reliable operation DESCRIPTION ·motor drive, DC-DC con

文件：352.16 Kbytes 页数：2 Pages

ISC

无锡固电

N-Channel PowerTrench짰 MOSFET

文件：434.13 Kbytes 页数：12 Pages

FAIRCHILD

仙童半导体

N-Channel PowerTrench MOSFET

文件：277.51 Kbytes 页数：12 Pages

FAIRCHILD

仙童半导体

N 沟道，PowerTrench® MOSFET，30V，55A，11.5mΩ

此N沟道MOSFET是专为使用同步或传统开关PWM控制器来改进DC/DC转换器整体功效而设计的。 已针对低栅极电荷、低rDS(ON) 和高速开关进行了优化。 •rDS(ON) = 11.5mΩ（典型值），VGS = 10V，ID = 35V\n•rDS(ON) = 15mΩ（典型值），VGS = 4.5V，ID = 35V\n•高性能沟道技术可实现极低的RDS(on)\n•低栅极电荷\n•高功率和高电流处理能力;

ONSEMI

安森美半导体

N-Channel PowerTrench짰 MOSFET

文件：434.13 Kbytes 页数：12 Pages

FAIRCHILD

仙童半导体

N-Channel PowerTrench MOSFET

文件：277.51 Kbytes 页数：12 Pages

FAIRCHILD

仙童半导体