N-Channel PowerTrench짰 MOSFET

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Fairchild

仙童半导体

30 V、94 A、4.7 mΩ、l DPAKN 沟道 PowerTrench®

此N沟道MOSFET是专为使用同步或传统开关PWM控制器来改进DC/DC转换器整体功效而设计的。 已针对低栅极电荷、低 rDS(on) 和高速开关进行了优化。 •rDS(ON) = 5.7mΩ, VGS = 10V, ID = 35A\n•rDS(ON) = 6.8mΩ, VGS = 4.5V, ID = 35A\n•高性能沟道技术可实现极低的 rDS(ON)\n•低栅极电荷\n•高功率和高电流处理能力\n•符合AEC Q101\n•符合 RoHS 标准;

ONSEMI

安森美半导体

丝印：FDD8896；Package：TO-252AA；N-Channel PowerTrench® MOSFET 30V, 94A, 5.7mΩ

General Description This N-Channel MOSFET has been designed specifically to improve the overall efficiency of DC/DC converters using either synchronous or conventional switching PWM controllers. It has been optimized for low gate charge, low rDS(ON) and fast switching speed. Features • rD

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ONSEMI

安森美半导体

N-Channel PowerTrench짰 MOSFET

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