丝印：FDD8870；Package：TO-252；30V N-Channel MOSFET

Features High performance trench technology for extremely low RDS(ON) Low gate charge High power and current handling capability VDS =30V RDS(ON) (at VGS =10V)

文件：389.14 Kbytes 页数：8 Pages

UMW

友台半导体

N-channel Advanced Mode Power MOSFET

Features  VDS= 40V, ID= 150A RDS(ON)

文件：880.09 Kbytes 页数：4 Pages

Bychip

百域芯

N-Channel PowerTrench MOSFET

文件：129.12 Kbytes 页数：11 Pages

Fairchild

仙童半导体

N-Channel PowerTrench짰 MOSFET

文件：491.42 Kbytes 页数：11 Pages

Fairchild

仙童半导体

丝印：DPAK；Package：TO-252；isc N-Channel MOSFET Transistor

文件：310.03 Kbytes 页数：2 Pages

ISC

无锡固电

丝印：FDD8870；Package：TO-252AA；N-Channel PowerTrench짰 MOSFET

文件：511.05 Kbytes 页数：11 Pages

ONSEMI

安森美半导体

N 沟道，PowerTrench® MOSFET，30V，160A，3.9mΩ

此N沟道MOSFET是专为使用同步或传统开关PWM控制器来改进DC/DC转换器整体功效而设计的。 已针对低栅极电荷、低rDS(ON) 和高速开关进行了优化。 •RDS(ON) = 3.9 mΩ, VGS = 10V, ID = 35V\n•RDS(ON) = 4.4 mΩ, VGS = 4.5V, ID = 35V\n•高性能沟道技术可实现极低的RDS(ON)\n•低栅极电荷\n•高功率和高电流处理能力;

ONSEMI

安森美半导体

N-Channel PowerTrench짰 MOSFET

文件：491.42 Kbytes 页数：11 Pages

Fairchild

仙童半导体

N-Channel PowerTrench짰 MOSFET 30V, 160A, 3.9m廓

文件：319.21 Kbytes 页数：11 Pages

Fairchild

仙童半导体

30 V、160 A、3.2 mΩ、Dual DPAKN 沟道 PowerTrench®

此N沟道MOSFET是专为使用同步或传统开关PWM控制器来改进DC/DC转换器整体功效而设计的。 已针对低栅极电荷、低 rDS(on) 和高速开关进行了优化。 rDS(ON) = 3.9mΩ, VGS = 10V, ID = 35A\n rDS(ON) = 4.4mΩ, VGS = 4.5V, ID = 35A\n 高性能沟道技术可实现极低的 rDS(ON)\n 低栅极电荷\n 高功率和高电流处理能力\n 符合 AEC Q101 标准\n 符合 RoHS 标准;

ONSEMI

安森美半导体