FDD850N10L

isc N-Channel MOSFET Transistor

FEATURES ·DrainCurrent:ID=15.7A@TC=25℃ ·DrainSourceVoltage :VDSS=100V(Min) ·StaticDrain-SourceOn-Resistance :RDS(on)=75mΩ(Max)@VGS=10V ·100avalanchetested ·MinimumLot-to-Lotvariationsforrobustdevice performanceandreliableoperation DESCRIPTION ·motordrive,DC-DC

FDD850N10L

N-channel Enhancement Mode Power MOSFET

Features VDS=100V,ID=18.1A RDS(ON)

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N 沟道 PowerTrench® MOSFET 100V，15.7A，75mΩ; •RDS(on) = 61mΩ （典型值）@ VGS = 10V，ID = 12A\n•RDS(on) = 64mΩ （典型值）@ VGS = 5V，ID = 12A\n•低栅极电荷（典型值22.2nC)\n•Low Crss （典型值）42pF)\n•快速开关\n•100%经过雪崩测试\n•提高dv/dt能力\n•符合 RoHS 标准\n;

该 N 沟道 MOSFET 采用飞兆半导体的 PowerTrench®工艺生产，这一先进工艺是专为最大限度地降低导通阻抗并保持卓越开关性能而定制的。

FDD850N10L

N-Channel PowerTrench MOSFET 100 V, 15.7 A, 75 m Ohm

FDD850N10LD

BoostPak（N 沟道，PowerTrench® MOSFET + 二极管），100 V，15.3A，75 mΩ; RDS(on) = 61 mΩ（典型值）@ VGS = 10 V，ID = 12 A\n RDS(on) = 64 mΩ（典型值）@ VGS = 5.0 V，ID = 12 A\n 低栅极电荷（典型值 22.2 nC）\n 低 Crss（典型值) 42 pF)\n 快速开关\n 100%经过雪崩测试\n 提高了 dv/dt 性能\n 符合 RoHS 标准\n;

该N沟道MOSFET采用飞兆半导体®的PowerTrench®工艺生产，这一先进工艺是专为最大限度地降低导通阻抗并保持卓越开关性能而定制的。NP 二极管为超快速整流器，具有低正向压降和出色的开关性能。

FDD850N10LD

BoostPak (N-Channel PowerTrench짰 MOSFET Diode)