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FDD850N10LD数据手册ONSEMI中文资料规格书

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厂商型号

FDD850N10LD

功能描述

BoostPak(N 沟道,PowerTrench® MOSFET + 二极管),100 V,15.3A,75 mΩ

制造商

ONSEMI ON Semiconductor

中文名称

安森美半导体 安森美半导体公司

数据手册

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更新时间

2025-8-9 14:40:00

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FDD850N10LD规格书详情

描述 Description

该N沟道MOSFET采用飞兆半导体®的PowerTrench®工艺生产,这一先进工艺是专为最大限度地降低导通阻抗并保持卓越开关性能而定制的。NP 二极管为超快速整流器,具有低正向压降和出色的开关性能。

特性 Features

RDS(on) = 61 mΩ(典型值)@ VGS = 10 V,ID = 12 A
RDS(on) = 64 mΩ(典型值)@ VGS = 5.0 V,ID = 12 A
低栅极电荷(典型值 22.2 nC)
低 Crss(典型值) 42 pF)
快速开关
100%经过雪崩测试
提高了 dv/dt 性能
符合 RoHS 标准

应用 Application

LED Monitor BacklightLED TV BacklightLED LightingConsumer Appliances

技术参数

  • 制造商编号

    :FDD850N10LD

  • 生产厂家

    :ONSEMI

  • Compliance

    :Pb-freeHalide free

  • Status

    : Active  

  • Description

    : BoostPak (N-Channel PowerTrench® MOSFET + Diode) 100V

  • Channel Polarity

    :N-Channel

  • Configuration

    :with Si Diodes

  • V(BR)DSS Min (V)

    :100

  • VGS Max (V)

    :±20

  • VGS(th) Max (V)

    :2.5

  • ID Max (A)

    :15.3

  • PD Max (W)

    :42

  • RDS(on) Max @ VGS = 2.5 V(mΩ)

    :-

  • RDS(on) Max @ VGS = 4.5 V(mΩ)

    :66

  • RDS(on) Max @ VGS = 10 V(mΩ)

    :61

  • Qg Typ @ VGS = 4.5 V (nC)

    :-

  • Qg Typ @ VGS = 10 V (nC)

    :22.2

  • Ciss Typ (pF)

    :1100

  • Package Type

    :DPAK-5

供应商 型号 品牌 批号 封装 库存 备注 价格
Fairchild/ON
22+
TO2525 DPak (4 Leads + Tab) TO
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