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FDD850N10LD中文资料BoostPak(N 沟道,PowerTrench® MOSFET + 二极管),100 V,15.3A,75 mΩ数据手册ONSEMI规格书
FDD850N10LD规格书详情
描述 Description
该N沟道MOSFET采用飞兆半导体®的PowerTrench®工艺生产,这一先进工艺是专为最大限度地降低导通阻抗并保持卓越开关性能而定制的。NP 二极管为超快速整流器,具有低正向压降和出色的开关性能。
特性 Features
RDS(on) = 61 mΩ(典型值)@ VGS = 10 V,ID = 12 A
RDS(on) = 64 mΩ(典型值)@ VGS = 5.0 V,ID = 12 A
低栅极电荷(典型值 22.2 nC)
低 Crss(典型值) 42 pF)
快速开关
100%经过雪崩测试
提高了 dv/dt 性能
符合 RoHS 标准
应用 Application
LED Monitor BacklightLED TV BacklightLED LightingConsumer Appliances
技术参数
- 制造商编号
:FDD850N10LD
- 生产厂家
:ONSEMI
- Compliance
:Pb-freeHalide free
- Status
: Active
- Description
: BoostPak (N-Channel PowerTrench® MOSFET + Diode) 100V
- Channel Polarity
:N-Channel
- Configuration
:with Si Diodes
- V(BR)DSS Min (V)
:100
- VGS Max (V)
:±20
- VGS(th) Max (V)
:2.5
- ID Max (A)
:15.3
- PD Max (W)
:42
- RDS(on) Max @ VGS = 2.5 V(mΩ)
:-
- RDS(on) Max @ VGS = 4.5 V(mΩ)
:66
- RDS(on) Max @ VGS = 10 V(mΩ)
:61
- Qg Typ @ VGS = 4.5 V (nC)
:-
- Qg Typ @ VGS = 10 V (nC)
:22.2
- Ciss Typ (pF)
:1100
- Package Type
:DPAK-5
供应商 | 型号 | 品牌 | 批号 | 封装 | 库存 | 备注 | 价格 |
---|---|---|---|---|---|---|---|
VBSEMI/微碧半导体 |
24+ |
TO252 |
7800 |
全新原厂原装正品现货,低价出售,实单可谈 |
询价 | ||
三年内 |
1983 |
只做原装正品 |
询价 | ||||
ON Semiconductor |
2022+ |
原厂原包装 |
6800 |
全新原装 支持表配单 中国著名电子元器件独立分销 |
询价 | ||
FAIRCHILD |
24+ |
TO-252(DPAK) |
8866 |
询价 | |||
FAIRCHIL |
24+ |
TO-252 |
90000 |
一级代理商进口原装现货、价格合理 |
询价 | ||
FAIRCHILD/仙童 |
2022+ |
TO-252-4 |
30000 |
进口原装现货供应,绝对原装 假一罚十 |
询价 | ||
ONSemiconductor |
24+ |
NA |
3000 |
进口原装正品优势供应 |
询价 | ||
FAIRCHILD |
20+ |
TO-2525L(DPAK) |
36900 |
原装优势主营型号-可开原型号增税票 |
询价 | ||
Fairchi |
25+ |
TO-252 |
5800 |
百分百原装正品 真实公司现货库存 本公司只做原装 可 |
询价 | ||
FAIRCHILD |
SOT-252-5 |
30216 |
提供BOM表配单TEL:0755-83759919QQ:2355705587杜S |
询价 |