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FDD850N10LD中文资料BoostPak(N 沟道,PowerTrench® MOSFET + 二极管),100 V,15.3A,75 mΩ数据手册ONSEMI规格书

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厂商型号

FDD850N10LD

功能描述

BoostPak(N 沟道,PowerTrench® MOSFET + 二极管),100 V,15.3A,75 mΩ

制造商

ONSEMI ON Semiconductor

中文名称

安森美半导体

数据手册

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更新时间

2025-9-24 15:15:00

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FDD850N10LD规格书详情

描述 Description

该N沟道MOSFET采用飞兆半导体®的PowerTrench®工艺生产,这一先进工艺是专为最大限度地降低导通阻抗并保持卓越开关性能而定制的。NP 二极管为超快速整流器,具有低正向压降和出色的开关性能。

特性 Features

RDS(on) = 61 mΩ(典型值)@ VGS = 10 V,ID = 12 A
RDS(on) = 64 mΩ(典型值)@ VGS = 5.0 V,ID = 12 A
低栅极电荷(典型值 22.2 nC)
低 Crss(典型值) 42 pF)
快速开关
100%经过雪崩测试
提高了 dv/dt 性能
符合 RoHS 标准

应用 Application

LED Monitor BacklightLED TV BacklightLED LightingConsumer Appliances

技术参数

  • 制造商编号

    :FDD850N10LD

  • 生产厂家

    :ONSEMI

  • Compliance

    :Pb-freeHalide free

  • Status

    : Active  

  • Description

    : BoostPak (N-Channel PowerTrench® MOSFET + Diode) 100V

  • Channel Polarity

    :N-Channel

  • Configuration

    :with Si Diodes

  • V(BR)DSS Min (V)

    :100

  • VGS Max (V)

    :±20

  • VGS(th) Max (V)

    :2.5

  • ID Max (A)

    :15.3

  • PD Max (W)

    :42

  • RDS(on) Max @ VGS = 2.5 V(mΩ)

    :-

  • RDS(on) Max @ VGS = 4.5 V(mΩ)

    :66

  • RDS(on) Max @ VGS = 10 V(mΩ)

    :61

  • Qg Typ @ VGS = 4.5 V (nC)

    :-

  • Qg Typ @ VGS = 10 V (nC)

    :22.2

  • Ciss Typ (pF)

    :1100

  • Package Type

    :DPAK-5

供应商 型号 品牌 批号 封装 库存 备注 价格
VBSEMI/微碧半导体
24+
TO252
7800
全新原厂原装正品现货,低价出售,实单可谈
询价
三年内
1983
只做原装正品
询价
ON Semiconductor
2022+
原厂原包装
6800
全新原装 支持表配单 中国著名电子元器件独立分销
询价
FAIRCHILD
24+
TO-252(DPAK)
8866
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FAIRCHIL
24+
TO-252
90000
一级代理商进口原装现货、价格合理
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FAIRCHILD/仙童
2022+
TO-252-4
30000
进口原装现货供应,绝对原装 假一罚十
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ONSemiconductor
24+
NA
3000
进口原装正品优势供应
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FAIRCHILD
20+
TO-2525L(DPAK)
36900
原装优势主营型号-可开原型号增税票
询价
Fairchi
25+
TO-252
5800
百分百原装正品 真实公司现货库存 本公司只做原装 可
询价
FAIRCHILD
SOT-252-5
30216
提供BOM表配单TEL:0755-83759919QQ:2355705587杜S
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