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FDD6N50TM_F085数据手册ONSEMI中文资料规格书

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厂商型号

FDD6N50TM_F085

功能描述

N 沟道,MOSFET,500V,6A,0.9Ω

制造商

ONSEMI ON Semiconductor

中文名称

安森美半导体 安森美半导体公司

数据手册

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更新时间

2025-8-9 15:08:00

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FDD6N50TM_F085规格书详情

描述 Description

这些 N 沟道增强型功率场效应晶体管采用飞兆专有的平面条形 DMOS 技术生产。 这一先进技术是专为最大限度地降低导通电阻,提供卓越的开关性能,以及在雪崩击穿和换相情况下承受高能量脉冲而开发的。 这些器件非常适合高效开关模式电源和有源功率因数校正。

特性 Features

• 6A, 500V
• RDS(on) = 0.9Ω @ VGS = 10 V
• Low gate charge (typical 12.8 nC)
• Low Crss (typical 9 pF)
• Fast switching
• 100% avalanche tested
• Improved dv/dt capability
• Qualified to AEC Q101
• RoHS Compliant

应用 Application

• 信息娱乐
• 便携导航
• 信息娱乐
• 其他
• 传动系
• 安全和控制
• 舒适与便捷
• 人体电子
• 车辆安全系统
• 其他车用

技术参数

  • 制造商编号

    :FDD6N50TM_F085

  • 生产厂家

    :ONSEMI

  • Pb-free

    :Pb

  • AEC Qualified

    :A

  • PPAP Capablee

    :P

  • Status

    :Active

  • Channel Polarity

    :N-Channel

  • V(BR)DSS Min (V)

    :500

  • VGS Max (V)

    :±30

  • VGS(th) Max (V)

    :5

  • ID Max (A)

    :6

  • PD Max (W)

    :89

  • RDS(on) Max @ VGS = 2.5 V(mΩ)

    :-

  • RDS(on) Max @ VGS = 4.5 V(mΩ)

    :-

  • RDS(on) Max @ VGS = 10 V(mΩ)

    :900

  • Qg Typ @ VGS = 4.5 V (nC)

    :-

  • Qg Typ @ VGS = 10 V (nC)

    :12.8

  • Ciss Typ (pF)

    :720

  • Package Type

    :DPAK-3/TO-252-3

供应商 型号 品牌 批号 封装 库存 备注 价格
三年内
1983
只做原装正品
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ON/安森美
2447
SMD
100500
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2022+
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30000
进口原装现货供应,原装 假一罚十
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