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FDD6N50TM_F085

N 沟道,MOSFET,500V,6A,0.9Ω

这些 N 沟道增强型功率场效应晶体管采用飞兆专有的平面条形 DMOS 技术生产。 这一先进技术是专为最大限度地降低导通电阻,提供卓越的开关性能,以及在雪崩击穿和换相情况下承受高能量脉冲而开发的。 这些器件非常适合高效开关模式电源和有源功率因数校正。 • 6A, 500V\n• RDS(on) = 0.9Ω @ VGS = 10 V\n• Low gate charge (typical 12.8 nC)\n• Low Crss (typical 9 pF)\n• Fast switching\n• 100% avalanche tested\n• Improved dv/dt capability\n• Qualified to AEC Q101\n• RoHS Compliant;

ONSEMI

安森美半导体

FDD6N50TM_F085

Improved dv/dt capability

文件:946.73 Kbytes 页数:8 Pages

Fairchild

仙童半导体

FDD8444L

FAIRCHILD/仙童
TO-252

FAIRCHILD/仙童

上传:深圳市纳艾斯科技有限公司

FAIRCHILD/仙童

FDD8447LMOS(场效应管)

FAIRCHILD/仙童
TO-252

FAIRCHILD/仙童

上传:深圳台格电子科技有限公司

FAIRCHILD/仙童

FDD86102

ON
T0-252

ON

技术参数

  • Pb-free:

    Pb

  • AEC Qualified:

    A

  • PPAP Capablee:

    P

  • Status:

    Active

  • Channel Polarity:

    N-Channel

  • V(BR)DSS Min (V):

    500

  • VGS Max (V):

    ±30

  • VGS(th) Max (V):

    5

  • ID Max (A):

    6

  • PD Max (W):

    89

  • RDS(on) Max @ VGS = 10 V(mΩ):

    900

  • Qg Typ @ VGS = 10 V (nC):

    12.8

  • Ciss Typ (pF):

    720

  • Package Type:

    DPAK-3/TO-252-3

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更多FDD6N50TM_F085供应商 更新时间2025-10-13 14:16:00