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FDD850N10L数据手册ONSEMI中文资料规格书
FDD850N10L规格书详情
描述 Description
该 N 沟道 MOSFET 采用飞兆半导体的 PowerTrench®工艺生产，这一先进工艺是专为最大限度地降低导通阻抗并保持卓越开关性能而定制的。
特性 Features
•RDS(on) = 61mΩ （典型值）@ VGS = 10V，ID = 12A
•RDS(on) = 64mΩ （典型值）@ VGS = 5V，ID = 12A
•低栅极电荷（典型值22.2nC)
•Low Crss （典型值）42pF)
•快速开关
•100%经过雪崩测试
•提高dv/dt能力
•符合 RoHS 标准
应用 Application
• LED 电视
• 消费型设备
技术参数
- 制造商编号
：FDD850N10L
- 生产厂家
：ONSEMI
- Pb-free
：Pb
- Halide free
：H
- Status
：Active
- Channel Polarity
：N-Channel
- Configuration
：Single
- V(BR)DSS Min (V)
：100
- VGS Max (V)
：±20
- VGS(th) Max (V)
：2.5
- ID Max (A)
：15.7
- PD Max (W)
：50
- RDS(on) Max @ VGS = 2.5 V(mΩ)
：-
- RDS(on) Max @ VGS = 4.5 V(mΩ)
：66
- RDS(on) Max @ VGS = 10 V(mΩ)
：61
- Qg Typ @ VGS = 4.5 V (nC)
：-
- Qg Typ @ VGS = 10 V (nC)
：12.3
- Ciss Typ (pF)
：1100
- Package Type
：DPAK-3/TO-252-3
| 供应商 | 型号 | 品牌 | 批号 | 封装 | 库存 | 备注 | 价格 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|
Fairchild/ON |
22+ |
TO2523 DPak (2 Leads + Tab) SC |
9000 |
原厂渠道,现货配单 |
询价 | ||
FAIRCHILD |
1822+ |
SOT-252 |
9852 |
只做原装正品假一赔十为客户做到零风险!! |
询价 | ||
FAIRCHILD/仙童 |
2022+ |
TO-252 |
30000 |
进口原装现货供应,绝对原装 假一罚十 |
询价 | ||
ONSemiconductor |
24+ |
NA |
3000 |
进口原装正品优势供应 |
询价 | ||
ONSEMI/安森美 |
25+ |
TO-252 |
34739 |
ONSEMI/安森美全新特价FDD850N10L即刻询购立享优惠#长期有货 |
询价 | ||
FSC |
12+ |
TO-252 |
58880 |
一级代理,专注军工、汽车、医疗、工业、新能源、电力 |
询价 | ||
FSC |
21+ |
TO-252 |
49605 |
原装现货假一赔十 |
询价 | ||
FAIRCHILD/仙童 |
24+ |
TO-252 |
9000 |
只做原装，欢迎询价，量大价优 |
询价 | ||
NK/南科功率 |
2025+ |
TO-252-2 |
986966 |
国产 |
询价 | ||
FAIRCHILD |
SOT-252 |
30216 |
提供BOM表配单TEL:0755-83759919QQ:2355705587杜S |
询价 |
