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FDD850N10L中文资料N 沟道 PowerTrench® MOSFET 100V,15.7A,75mΩ数据手册ONSEMI规格书

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厂商型号

FDD850N10L

功能描述

N 沟道 PowerTrench® MOSFET 100V,15.7A,75mΩ

制造商

ONSEMI ON Semiconductor

中文名称

安森美半导体

数据手册

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更新时间

2025-9-24 13:33:00

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FDD850N10L规格书详情

描述 Description

该 N 沟道 MOSFET 采用飞兆半导体的 PowerTrench®工艺生产,这一先进工艺是专为最大限度地降低导通阻抗并保持卓越开关性能而定制的。

特性 Features

•RDS(on) = 61mΩ (典型值)@ VGS = 10V,ID = 12A
•RDS(on) = 64mΩ (典型值)@ VGS = 5V,ID = 12A
•低栅极电荷(典型值22.2nC)
•Low Crss (典型值)42pF)
•快速开关
•100%经过雪崩测试
•提高dv/dt能力
•符合 RoHS 标准

应用 Application

• LED 电视
• 消费型设备

技术参数

  • 制造商编号

    :FDD850N10L

  • 生产厂家

    :ONSEMI

  • Pb-free

    :Pb

  • Halide free

    :H

  • Status

    :Active

  • Channel Polarity

    :N-Channel

  • Configuration

    :Single

  • V(BR)DSS Min (V)

    :100

  • VGS Max (V)

    :±20

  • VGS(th) Max (V)

    :2.5

  • ID Max (A)

    :15.7

  • PD Max (W)

    :50

  • RDS(on) Max @ VGS = 2.5 V(mΩ)

    :-

  • RDS(on) Max @ VGS = 4.5 V(mΩ)

    :66

  • RDS(on) Max @ VGS = 10 V(mΩ)

    :61

  • Qg Typ @ VGS = 4.5 V (nC)

    :-

  • Qg Typ @ VGS = 10 V (nC)

    :12.3

  • Ciss Typ (pF)

    :1100

  • Package Type

    :DPAK-3/TO-252-3

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