FDD7N25LZ中文资料功率 MOSFET，N 沟道，UniFETTM，250 V，6.2A，550mΩ，DPAK数据手册ONSEMI规格书
FDD7N25LZ规格书详情
描述 Description
UniFETTM MOSFET 是飞兆半导体®的高压 MOSFET 系列产品，基于平面条形和 DMOS 技术。 该 MOSFET 产品专用于降低通态电阻，并提供更好的开关性能和更高的雪崩能量强度。 该器件系列适用于开关电源转换器应用，如功率因数校正（PFC）、平板显示器（FPD）电视电源、ATX 及灯用电子镇流器。
特性 Features
•RDS(on) = 430mΩ （典型值）@ VGS = 10V, ID = 3.1A
•低栅极电荷（典型值 12nC）
•低 Crss（典型值 8pF）
•100% 经过雪崩击穿测试
•提高了 dv/dt 处理能力
•改进了 ESD 防护能力
•符合 RoHS 标准
应用 Application
• This product is general usage and suitable for many different applications.
技术参数
- 制造商编号
：FDD7N25LZ
- 生产厂家
：ONSEMI
- Pb-free
：Pb
- Halide free
：H
- Status
：Active
- Channel Polarity
：N-Channel
- Configuration
：Single
- V(BR)DSS Min (V)
：250
- VGS Max (V)
：±30
- VGS(th) Max (V)
：2.5
- ID Max (A)
：6.2
- PD Max (W)
：56
- RDS(on) Max @ VGS = 2.5 V(mΩ)
：-
- RDS(on) Max @ VGS = 4.5 V(mΩ)
：690
- RDS(on) Max @ VGS = 10 V(mΩ)
：550
- Qg Typ @ VGS = 4.5 V (nC)
：-
- Qg Typ @ VGS = 10 V (nC)
：12
- Ciss Typ (pF)
：480
- Package Type
：DPAK-3/TO-252-3
| 供应商 | 型号 | 品牌 | 批号 | 封装 | 库存 | 备注 | 价格 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|
FAIRCHILD |
TO252 |
9850 |
一级代理 原装正品假一罚十价格优势长期供货 |
询价 | |||
FAI |
25+23+ |
TO252 |
73185 |
绝对原装正品现货,全新深圳原装进口现货 |
询价 | ||
FAIRCHILD/仙童 |
2023+ |
TO252 |
6893 |
十五年行业诚信经营,专注全新正品 |
询价 | ||
FAIRCHILD/仙童 |
22+ |
TO-252 |
18000 |
原装正品 |
询价 | ||
FAIRCHILD/仙童 |
24+ |
TO252 |
9600 |
原装现货,优势供应,支持实单! |
询价 | ||
FAIRCHI |
18+ |
TO-252 |
85600 |
保证进口原装可开17%增值税发票 |
询价 | ||
三年内 |
1983 |
只做原装正品 |
询价 | ||||
FAIRCHILD/仙童 |
25+ |
TO252 |
880000 |
明嘉莱只做原装正品现货 |
询价 | ||
FAIRCHILD/仙童 |
20+ |
TO-252 |
7500 |
现货很近!原厂很远!只做原装 |
询价 | ||
ON |
2022+ |
DPAK-3 / TO-252-3 |
38550 |
全新原装 支持表配单 中国著名电子元器件独立分销 |
询价 |
