丝印：FDD7N25LZ；Package：DPAK；N-Channel UniFETTM MOSFET 250 V, 6.2 A, 550 mΩ

Features • RDS(on) = 430 mΩ (Typ.) @ VGS = 10 V, ID = 3.1 A • Low Gate Charge (Typ. 12 nC) • Low Crss (Typ. 8 pF) • 100% Avalanche Tested • Improved dv/dt Capability • ESD Improved Capability • RoHS Compliant Applications • LCD/LED/PDP TV • Consumer Appliances • Lighting • Uninte

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ONSEMI

安森美半导体

N-Channel UniFETTM MOSFET 250 V, 6.2 A, 550 mΩ

Features • RDS(on) = 430 mΩ (Typ.) @ VGS = 10 V, ID = 3.1 A • Low Gate Charge (Typ. 12 nC) • Low Crss (Typ. 8 pF) • 100% Avalanche Tested • Improved dv/dt Capability • ESD Improved Capability • RoHS Compliant Applications • LCD/LED/PDP TV • Consumer Appliances • Lighting • Uninte

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安森美半导体

N-Channel UniFET MOSFET

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Fairchild

仙童半导体

功率 MOSFET，N 沟道，UniFETTM，250 V，6.2A，550mΩ，DPAK

UniFETTM MOSFET 是飞兆半导体®的高压 MOSFET 系列产品，基于平面条形和 DMOS 技术。 该 MOSFET 产品专用于降低通态电阻，并提供更好的开关性能和更高的雪崩能量强度。 该器件系列适用于开关电源转换器应用，如功率因数校正（PFC）、平板显示器（FPD）电视电源、ATX 及灯用电子镇流器。 •RDS(on) = 430mΩ （典型值）@ VGS = 10V, ID = 3.1A\n•低栅极电荷（典型值 12nC） \n•低 Crss（典型值 8pF） \n•100% 经过雪崩击穿测试\n•提高了 dv/dt 处理能力\n•改进了 ESD 防护能力\n•符合 RoHS 标准;

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安森美半导体