N 沟道，PowerTrench® MOSFET，40V，50A，11.0mΩ

N-Channel PowerTrench® MOSFET 40V, 50A, 11.0mΩ •典型 rDS(on) = 7.0mΩ （VGS = 10 V、ID = 14 A）\n•典型rDS(on) = 8.5mΩ （VGS = 4.5V, ID = 11A）\n•快速开关\n•符合AEC Q101\n•符合 RoHS 标准;

ONSEMI

安森美半导体

N-Channel PowerTrench짰 MOSFET 40V, 50A, 11.0m廓

Features ■ Typ rDS(on) = 7.0mΩ at VGS = 10V, ID = 14A ■ Typ rDS(on) = 8.5mΩ at VGS = 4.5V, ID = 11A ■ Fast Switching ■ Qualified to AEC Q101 ■ RoHS Compliant Applications ■ Inverter ■ Power Supplies ■ Automotive Engine Control ■ Power Train Management ■ Solenoid and Motor Drivers ■ Ele

文件：440.05 Kbytes 页数：7 Pages

Fairchild

仙童半导体

丝印：FDD8447L；Package：D-PAK；N-Channel PowerTrench짰 MOSFET

文件：531 Kbytes 页数：8 Pages

ONSEMI

安森美半导体

TO-252

FAIRCHILD/仙童

上传：深圳台格电子科技有限公司

T0-252

ON

上传：深圳市壹芯创科技有限公司