isc N-Channel MOSFET Transistor

FEATURES ·Drain Current : ID= 36A@ TC=25℃ ·Drain Source Voltage : VDSS= 100V(Min) ·Static Drain-Source On-Resistance : RDS(on) = 24mΩ(Max) @VGS= 10V ·100 avalanche tested ·Minimum Lot-to-Lot variations for robust device performance and reliable operation DESCRIPTION ·motor drive, DC-DC c

文件：353.47 Kbytes 页数：2 Pages

ISC

无锡固电

N-channel Enhancement Mode Power MOSFET

Features  VDS= 100V, ID= 40 A RDS(ON)

文件：690.01 Kbytes 页数：4 Pages

Bychip

百域芯

N-Channel PowerTrench짰 MOSFET 100 V, 36 A, 24 m廓

文件：396.48 Kbytes 页数：6 Pages

Fairchild

仙童半导体

N 沟道，屏蔽门极，PowerTrench® MOSFET，100 V，36 A，24 mΩ

这一N沟道MOSFET器件采用飞兆半导体的高级PowerTrench®工艺生产，该工艺专为实现rDS(on)、开关性能以及坚固性而优化。 •VGS = 10 V，ID = 8 A时，Max rDS(on) = 24 mO\n•最大rDS(on) = 38 mO （VGS = 6 V, ID = 6 A）\n•高性能沟道技术可实现极低的rDS(on)\n•高功率和高电流处理能力，采用广泛使用的表面贴装封装\n•与其他沟道技术相比，具有极低的Qg和Qgd \n•快速开关速度\n•100%经过UIL测试\n•符合RoHS标准;

ONSEMI

安森美半导体

N-channel Enhancement Mode Power MOSFET

Features  VDS= 100V, ID= 40 A RDS(ON)

文件：690.05 Kbytes 页数：4 Pages

Bychip

百域芯

N-Channel 100-V (D-S) MOSFET

文件：960.99 Kbytes 页数：8 Pages

VBSEMI

微碧半导体

N-Channel PowerTrench짰 MOSFET 100 V, 35 A, 22.5 m廓

文件：372.26 Kbytes 页数：6 Pages

Fairchild

仙童半导体

N-Channel PowerTrench짰 MOSFET 100 V, 35 A, 22.5 m廓

文件：372.26 Kbytes 页数：6 Pages

DIODES

美台半导体

isc N-Channel MOSFET Transistor

文件：282.44 Kbytes 页数：2 Pages

ISC

无锡固电

N-Channel PowerTrench짰 MOSFET 100 V, 35 A, 22.5 m廓

文件：372.26 Kbytes 页数：6 Pages

Fairchild

仙童半导体