N 沟道屏蔽门极 PowerTrench® MOSFET 100 V，35 A，22.5 mΩ

此N沟道MOSFET采用飞兆半导体先进的PowerTrench®工艺生产，这一先进工艺是专为最大限度地降低通态电阻而定制的。 旨在为增强ESD电压电平而增加了G-S齐纳管。 •VGS = 10 V，ID = 8 A时，最大rDS(on) = 22.5 mΩ\n•VGS = 4.5 V，ID = 7A时，最大rDS(on) = 31 mΩ\n•HBM ESD保护等级> 6 KV典型值（注4）\n•与其他沟道技术相比，具有极低的Qg和Qgd\n•快速开关速度\n•100%经过UIL测试\n•符合RoHS标准;

ONSEMI

安森美半导体

N-Channel PowerTrench® MOSFET 100 V, 35 A, 22.5 mΩ

Diodes

美台半导体