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FDD86102LZ中文资料N-Channel PowerTrench® MOSFET 100 V, 35 A, 22.5 mΩ数据手册Diodes规格书

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厂商型号

FDD86102LZ

功能描述

N-Channel PowerTrench® MOSFET 100 V, 35 A, 22.5 mΩ

制造商

Diodes Diodes Incorporated

中文名称

美台半导体

数据手册

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更新时间

2025-9-24 15:08:00

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技术参数

  • 型号:

    FDD86102LZ

  • 功能描述:

    MOSFET 100V N-Channel PowerTrench MOSFET

  • RoHS:

  • 制造商:

    STMicroelectronics

  • 晶体管极性:

    N-Channel

  • 汲极/源极击穿电压:

    650 V

  • 闸/源击穿电压:

    25 V

  • 漏极连续电流:

    130 A 电阻汲极/源极

  • RDS(导通):

    0.014 Ohms

  • 配置:

    Single

  • 安装风格:

    Through Hole

  • 封装/箱体:

    Max247

  • 封装:

    Tube

供应商 型号 品牌 批号 封装 库存 备注 价格
三年内
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