FDD86102中文资料N 沟道，屏蔽门极，PowerTrench® MOSFET，100 V，36 A，24 mΩ数据手册ONSEMI规格书
FDD86102规格书详情
描述 Description
这一N沟道MOSFET器件采用飞兆半导体的高级PowerTrench®工艺生产，该工艺专为实现rDS(on)、开关性能以及坚固性而优化。
特性 Features
•VGS = 10 V，ID = 8 A时，Max rDS(on) = 24 mO
•最大rDS(on) = 38 mO （VGS = 6 V, ID = 6 A）
•高性能沟道技术可实现极低的rDS(on)
•高功率和高电流处理能力，采用广泛使用的表面贴装封装
•与其他沟道技术相比，具有极低的Qg和Qgd
•快速开关速度
•100%经过UIL测试
•符合RoHS标准
应用 Application
• This product is general usage and suitable for many different applications.
技术参数
- 制造商编号
：FDD86102
- 生产厂家
：ONSEMI
- Pb-free
：Pb
- Halide free
：H
- Status
：Active
- Channel Polarity
：N-Channel
- Configuration
：Single
- V(BR)DSS Min (V)
：100
- VGS Max (V)
：±20
- VGS(th) Max (V)
：4
- ID Max (A)
：36
- PD Max (W)
：62
- RDS(on) Max @ VGS = 2.5 V(mΩ)
：-
- RDS(on) Max @ VGS = 4.5 V(mΩ)
：-
- RDS(on) Max @ VGS = 10 V(mΩ)
：24
- Qg Typ @ VGS = 4.5 V (nC)
：-
- Qg Typ @ VGS = 10 V (nC)
：7.6
- Ciss Typ (pF)
：780
- Package Type
：DPAK-3/TO-252-3
| 供应商 | 型号 | 品牌 | 批号 | 封装 | 库存 | 备注 | 价格 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|
ON/安森美 |
22+ |
TO-252 |
17500 |
原装正品 |
询价 | ||
FAIRCHILD/仙童 |
24+ |
TO252 |
9600 |
原装现货,优势供应,支持实单! |
询价 | ||
FAIRCHILD |
18+ |
TO252 |
85600 |
保证进口原装可开17%增值税发票 |
询价 | ||
ON/安森美 |
24+ |
TO-252 |
505348 |
免费送样原盒原包现货一手渠道联系 |
询价 | ||
ON |
23+ |
T0-252 |
20000 |
原厂原装正品诚信经营 |
询价 | ||
FAIRCHILD |
20+ |
TO252-5 |
5600 |
样品可出,原装现货 |
询价 | ||
三年内 |
1983 |
只做原装正品 |
询价 | ||||
FAIRCHILD/仙童 |
23+ |
TO252 |
10880 |
原装正品，支持实单 |
询价 | ||
FSC |
24+ |
TO252 |
39500 |
进口原装现货 支持实单价优 |
询价 | ||
FAIRCHILD/仙童 |
23+ |
SOT252 |
8000 |
只做原装现货 |
询价 |
