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FDD86102LZ中文资料N 沟道屏蔽门极 PowerTrench® MOSFET 100 V，35 A，22.5 mΩ数据手册ONSEMI规格书
FDD86102LZ规格书详情
描述 Description
此N沟道MOSFET采用飞兆半导体先进的PowerTrench®工艺生产，这一先进工艺是专为最大限度地降低通态电阻而定制的。 旨在为增强ESD电压电平而增加了G-S齐纳管。
特性 Features
•VGS = 10 V，ID = 8 A时，最大rDS(on) = 22.5 mΩ
•VGS = 4.5 V，ID = 7A时，最大rDS(on) = 31 mΩ
•HBM ESD保护等级> 6 KV典型值（注4）
•与其他沟道技术相比，具有极低的Qg和Qgd
•快速开关速度
•100%经过UIL测试
•符合RoHS标准
应用 Application
• This product is general usage and suitable for many different applications.
技术参数
- 制造商编号
：FDD86102LZ
- 生产厂家
：ONSEMI
- Pb-free
：Pb
- Halide free
：H
- Status
：Active
- Channel Polarity
：N-Channel
- Configuration
：Single
- V(BR)DSS Min (V)
：100
- VGS Max (V)
：±20
- VGS(th) Max (V)
：3
- ID Max (A)
：35
- PD Max (W)
：54
- RDS(on) Max @ VGS = 2.5 V(mΩ)
：-
- RDS(on) Max @ VGS = 4.5 V(mΩ)
：31
- RDS(on) Max @ VGS = 10 V(mΩ)
：22.5
- Qg Typ @ VGS = 4.5 V (nC)
：-
- Qg Typ @ VGS = 10 V (nC)
：8.7
- Ciss Typ (pF)
：1157
- Package Type
：DPAK-3/TO-252-3
| 供应商 | 型号 | 品牌 | 批号 | 封装 | 库存 | 备注 | 价格 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|
三年内 |
1983 |
只做原装正品 |
询价 | ||||
VBSEMI台湾微碧 |
23+ |
TO-252 |
22820 |
原装正品，支持实单 |
询价 | ||
ON Semiconductor |
2022+ |
原厂原包装 |
6800 |
全新原装 支持表配单 中国著名电子元器件独立分销 |
询价 | ||
FAIRCHILD/仙童 |
23+ |
SOT252 |
8000 |
只做原装现货 |
询价 | ||
FAIRCHILD/仙童 |
23+ |
SOT252 |
7000 |
询价 | |||
ON SEMICONDUCTOR |
24+ |
con |
77 |
现货常备产品原装可到京北通宇商城查价格 |
询价 | ||
VBsemi(台湾微碧) |
2447 |
TO-252 |
105000 |
2500个/圆盘一级代理专营品牌!原装正品,优势现货, |
询价 | ||
FAIRCHILD/仙童 |
24+ |
TO-252 |
1007 |
只做原厂渠道 可追溯货源 |
询价 | ||
ON(安森美) |
25+ |
TO-252-2(DPAK) |
500000 |
源自原厂成本,高价回收工厂呆滞 |
询价 | ||
ONSEMI/安森美 |
2450+ |
D-PAKTO-252 |
9850 |
只做原厂原装正品现货或订货假一赔十! |
询价 |
