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FDD86102LZ数据手册ONSEMI中文资料规格书
FDD86102LZ规格书详情
描述 Description
此N沟道MOSFET采用飞兆半导体先进的PowerTrench®工艺生产，这一先进工艺是专为最大限度地降低通态电阻而定制的。 旨在为增强ESD电压电平而增加了G-S齐纳管。
特性 Features
•VGS = 10 V，ID = 8 A时，最大rDS(on) = 22.5 mΩ
•VGS = 4.5 V，ID = 7A时，最大rDS(on) = 31 mΩ
•HBM ESD保护等级> 6 KV典型值（注4）
•与其他沟道技术相比，具有极低的Qg和Qgd
•快速开关速度
•100%经过UIL测试
•符合RoHS标准
应用 Application
• This product is general usage and suitable for many different applications.
技术参数
- 制造商编号
：FDD86102LZ
- 生产厂家
：ONSEMI
- Pb-free
：Pb
- Halide free
：H
- Status
：Active
- Channel Polarity
：N-Channel
- Configuration
：Single
- V(BR)DSS Min (V)
：100
- VGS Max (V)
：±20
- VGS(th) Max (V)
：3
- ID Max (A)
：35
- PD Max (W)
：54
- RDS(on) Max @ VGS = 2.5 V(mΩ)
：-
- RDS(on) Max @ VGS = 4.5 V(mΩ)
：31
- RDS(on) Max @ VGS = 10 V(mΩ)
：22.5
- Qg Typ @ VGS = 4.5 V (nC)
：-
- Qg Typ @ VGS = 10 V (nC)
：8.7
- Ciss Typ (pF)
：1157
- Package Type
：DPAK-3/TO-252-3
| 供应商 | 型号 | 品牌 | 批号 | 封装 | 库存 | 备注 | 价格 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|
FAIRCHILD/仙童 |
24+ |
NA/ |
3490 |
原装现货,当天可交货,原型号开票 |
询价 | ||
ON/安森美 |
24+ |
TO-252 |
12048 |
原厂可订货,技术支持,直接渠道。可签保供合同 |
询价 | ||
ON/安森美 |
25+ |
TO-252 |
860000 |
明嘉莱只做原装正品现货 |
询价 | ||
FAIRCHILD/仙童 |
25+ |
SOT252 |
5000 |
原装正品,假一罚十! |
询价 | ||
FAIRCHILD/仙童 |
22+ |
SOT-252 |
100000 |
代理渠道/只做原装/可含税 |
询价 | ||
ON/安森美 |
25+ |
TO-252 |
34740 |
ON/安森美全新特价FDD86102LZ即刻询购立享优惠#长期有货 |
询价 | ||
FSC |
24+ |
TO-252 |
20000 |
全新原厂原装，进口正品现货，正规渠道可含税！！ |
询价 | ||
FAIRCHILD |
20+ |
SOT252 |
5000 |
一级代理,专注军工、汽车、医疗、工业、新能源、电力 |
询价 | ||
ON |
24+ |
DPAK-3 / TO-252-3 |
25000 |
ON全系列可订货 |
询价 | ||
ON/安森美 |
22+ |
TO-252-2(DPAK) |
12000 |
只有原装,原装,假一罚十 |
询价 |
