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FDD6630A	文件：1.04329 Mbytes Page：4 Pages	N-channel Advanced Mode Power MOSFET Features VDS=40V,ID=150A RDS(ON)	BychipBYCHIP ELECTRONICS CO., LIMITED 百域芯深圳市百域芯科技有限公司	Bychip
FDD6630A	文件：147.57 Kbytes Page：5 Pages	N-Channel PowerTrench??MOSFET GeneralDescription ThisN-ChannelMOSFEThasbeendesignedspecificallytoimprovetheoverallefficiencyofDC/DCconvertersusingeithersynchronousorconventionalswitchingPWMcontrollers.Ithasbeenoptimizedforlowgatecharge,lowRDS(ON)andfastswitchingspeed. Features ·21A,3	FairchildFairchild Semiconductor 仙童半导体飞兆/仙童半导体公司	Fairchild
FDD6630A	文件：347.3 Kbytes Page：2 Pages	isc N-Channel MOSFET Transistor	ISCInchange Semiconductor Company Limited 无锡固电无锡固电半导体股份有限公司	ISC
FDD6630A_11	文件：115.02 Kbytes Page：5 Pages	30V N-Channel PowerTrench횘 MOSFET	FairchildFairchild Semiconductor 仙童半导体飞兆/仙童半导体公司	Fairchild
FDS6630	文件：197.79 Kbytes Page：8 Pages	N-ChannelLogicLevelPowerTrenchTMMOSFET	FairchildFairchild Semiconductor 仙童半导体飞兆/仙童半导体公司	Fairchild
FDS6630A	文件：197.79 Kbytes Page：8 Pages	N-ChannelLogicLevelPowerTrenchTMMOSFET	FairchildFairchild Semiconductor 仙童半导体飞兆/仙童半导体公司	Fairchild
FDS6630A-NL	文件：1.00892 Mbytes Page：9 Pages	N-Channel20V(D-S)MOSFET	VBSEMIVBsemi Electronics Co.,Ltd 微碧半导体微碧半导体（台湾）有限公司	VBSEMI
FL6630	文件：453.15 Kbytes Page：14 Pages	Single-StagePrimary-Side-RegulationPWMController	ONSEMION Semiconductor 安森美半导体安森美半导体公司	ONSEMI
FL6630MX	文件：453.15 Kbytes Page：14 Pages	Single-StagePrimary-Side-RegulationPWMController	ONSEMION Semiconductor 安森美半导体安森美半导体公司	ONSEMI
FST6630	文件：145.68 Kbytes Page：2 Pages	40AmpSchottkyRectifier	MicrosemiMicrosemi Corporation 美高森美美高森美公司	Microsemi

详细参数

型号：
FDD6630A
功能描述：
MOSFET 30V N-Ch PowerTrench
RoHS：
否
制造商：
STMicroelectronics
晶体管极性：
N-Channel
汲极/源极击穿电压：
650 V
闸/源击穿电压：
25 V
漏极连续电流：
130 A 电阻汲极/源极
RDS（导通）：
0.014 Ohms
配置：
Single
安装风格：
Through Hole
封装/箱体：
Max247
封装：
Tube

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