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FDD8445_F085	文件：528.67 Kbytes Page：7 Pages	N-Channel PowerTrench MOSFET Features RDS(ON)=6.7mΩ(Typ),VGS=10V,ID=50A Qg(10)=45nC(Typ),VGS=10V LowMillerCharge LowQrrBodyDiode UISCapability(SinglePulse/RepetitivePulse) QualifiedtoAECQ101 RoHSCompliant	FairchildFairchild Semiconductor 仙童半导体飞兆/仙童半导体公司	Fairchild
FDD8445-F085	文件：1.09734 Mbytes Page：6 Pages	Marking：FDD8445；Package：TO-252AA；N-Channel PowerTrench짰 MOSFET	ONSEMION Semiconductor 安森美半导体安森美半导体公司	ONSEMI
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制造商上传企业

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FDD8445_F085

文件：528.67 Kbytes

Page：7 Pages

N-Channel PowerTrench MOSFET

Features RDS(ON)=6.7mΩ(Typ),VGS=10V,ID=50A Qg(10)=45nC(Typ),VGS=10V LowMillerCharge LowQrrBodyDiode UISCapability(SinglePulse/RepetitivePulse) QualifiedtoAECQ101 RoHSCompliant

FairchildFairchild Semiconductor

仙童半导体飞兆/仙童半导体公司

Fairchild

FDD8445-F085

文件：1.09734 Mbytes

Page：6 Pages

Marking：FDD8445；Package：TO-252AA；N-Channel PowerTrench짰 MOSFET

ONSEMION Semiconductor

安森美半导体安森美半导体公司

ONSEMI

FDB8445_F085

文件：342.44 Kbytes

Page：7 Pages

N-ChannelPowerTrench짰MOSFET

FairchildFairchild Semiconductor

仙童半导体飞兆/仙童半导体公司

Fairchild

详细参数

型号：
FDD8445_F085
功能描述：
MOSFET LOW_VOLTAGE
RoHS：
否
制造商：
STMicroelectronics
晶体管极性：
N-Channel
汲极/源极击穿电压：
650 V
闸/源击穿电压：
25 V
漏极连续电流：
130 A 电阻汲极/源极
RDS（导通）：
0.014 Ohms
配置：
Single
安装风格：
Through Hole
封装/箱体：
Max247
封装：
Tube

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更多FDD8445_F085供应商更新时间2025-5-24 10:20:00

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