isc N-Channel MOSFET Transistor

FEATURES ·Drain Current : ID=35A@ TC=25℃ ·Drain Source Voltage : VDSS=25V(Min) ·Static Drain-Source On-Resistance : RDS(on) = 11mΩ(Max) @VGS= 10V ·100 avalanche tested ·Minimum Lot-to-Lot variations for robust device performance and reliable operation DESCRIPTION ·motor drive, DC-DC conv

文件：352.3 Kbytes 页数：2 Pages

ISC

无锡固电

N-channel Advanced Mode Power MOSFET

Features  VDS= 40V, ID= 150A RDS(ON)

文件：986.78 Kbytes 页数：4 Pages

BYCHIP

百域芯

N-Channel 30-V (D-S) MOSFET

文件：1.01994 Mbytes 页数：8 Pages

VBSEMI

微碧半导体

N-Channel PowerTrench MOSFET

文件：318.03 Kbytes 页数：6 Pages

FAIRCHILD

仙童半导体

N 沟道，PowerTrench® MOSFET，25V，35A，11mΩ

此N沟道MOSFET是专为使用同步或传统开关PWM控制器来改进DC/DC转换器整体功效而设计的。 已针对低栅极电荷、低rDS(ON) 和高速开关进行了优化。 •VGS = 10V，ID = 35A时，最大rDS(on) = 11.0 mΩ\n•VGS = 4.5V，ID = 35A时，最大rDS(on) = 14.0 mΩ\n•低栅极电荷： Qg(10) = 18nC（典型值），VGS = 10V\n•低栅极电阻\n•雪崩额定值，100%经过测试\n•符合RoHS标准;

ONSEMI

安森美半导体