Dual N & P-Channel PowerTrench짰 MOSFET

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FAIRCHILD

仙童半导体

Dual N & P-Channel PowerTrench짰 MOSFET N-Channel: 40V, 20A, 24m廓 P-Channel: -40V, -20A, 54m廓

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FAIRCHILD

仙童半导体

Dual N & P-Channel PowerTrench짰 MOSFET N-Channel: 40V, 20A, 24m廓 P-Channel: -40V, -20A, 54m廓

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FAIRCHILD

仙童半导体

双 N 和 P 沟道，PowerTrench® MOSFET，40V

这些双 N 和 P 沟道增强模式功率 MOSFET 采用飞兆半导体先进的 PowerTrench® 工艺生产，这一先进工艺是专为最大限度地降低通态电阻并保持卓越开关性能而定制的。 • N-Channel: 40V, 20A, 24mΩ\n• P-Channel: -40V, -20A, 54mΩ\n• Q1： N 沟道\n• 最大值 RDS(on) = 24 mΩ（VGS = 10 V、ID = 9.0 A）\n• 最大值 RDS(on) = 30mΩ（VGS = 4.5V, ID = 7.0A）Q2： P 沟道\n• Q2: P-Channel\n• 最大值 RDS(on) = 54 mΩ（VGS = -10 V、ID = -6.5 A）\n• 最大值 RDS(on) = 70 mΩ（VGS = -4.5 V、ID = -5.6 A）\n• 快速开关\n• 符合RoH;

ONSEMI

安森美半导体

40 V/-40 V、26/-20 A、24/54 mΩ、DPAK（4 引脚）N 沟道和 P 沟道 PowerTrench®

这些双 N 沟道和 P 沟道增强模式功率 MOSFET 采用飞兆先进的 PowerTrench 工艺生产，这一先进工艺是专为最大限度地降低通态电阻并保持卓越开关性能而定制的。 N-Channel: 40V, 20A, 24mΩ\nP-Channel: -40V, -20A, 54mΩ\nQ1： N 沟道\n 最大 rDS(on) = 24 mΩ（需 VGS = 10 V、ID = 9.0 A）\n 最大 rDS(on) = 30 mΩ（需 VGS = 4.5 V、ID = 7.0 A）Q2： P 沟道\nQ2: P-Channel\n 最大 rDS(on) = 54 mΩ（需 VGS = -10 V、ID = -6.5 A）\n 最大 rDS(on) = 70 mΩ（需 VGS = -4.5 V、ID = -5.6 A）\n 快速开关速度\n 符合 AEC Q101;

ONSEMI

安森美半导体