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FDD86110	文件：764.83 Kbytes Page：4 Pages	N-Channel Super Trench Power MOSFET Features  VDS= 100V, ID= 78 A RDS(ON) 文件：764.83 Kbytes 页数：4 Pages	Bychip 百域芯	Bychip
FDD86110	文件：257.86 Kbytes Page：6 Pages	N-Channel PowerTrench짰 MOSFET 100 V, 50 A, 10.2 m廓文件：257.86 Kbytes 页数：6 Pages	Fairchild 仙童半导体	Fairchild
FDD86110	文件：353.02 Kbytes Page：2 Pages	isc N-Channel MOSFET Transistor 文件：353.02 Kbytes 页数：2 Pages	ISC 无锡固电	ISC
FDD86110	文件：300 bytes Page：1 Pages	屏蔽门极，PowerTrench® MOSFET，N 沟道，100 V，50 A， 10.2 mΩ 此N沟道MOSFET采用飞兆半导体先进的Power Trench®工艺生产，这一先进工艺是专为最大限度地降低通态电阻并保持卓越开关性能而定制的。 •VGS = 10 V，ID = 12.5 A时，最大rDS(on) = 10.2 mΩ \n•VGS = 6 V，ID = 9.8 A时，最大rDS(on) = 16 mΩ \n•100%经过UIL测试\n•符合RoHS标准;	ONSEMI 安森美半导体	ONSEMI

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更多FDD86110供应商更新时间2025-12-11 20:39:00