FDD86110数据手册ONSEMI中文资料规格书
FDD86110规格书详情
描述 Description
此N沟道MOSFET采用飞兆半导体先进的Power Trench®工艺生产，这一先进工艺是专为最大限度地降低通态电阻并保持卓越开关性能而定制的。
特性 Features
•VGS = 10 V，ID = 12.5 A时，最大rDS(on) = 10.2 mΩ
•VGS = 6 V，ID = 9.8 A时，最大rDS(on) = 16 mΩ
•100%经过UIL测试
•符合RoHS标准
应用 Application
• AC-DC商用电源
技术参数
- 制造商编号
：FDD86110
- 生产厂家
：ONSEMI
- Pb-free
：Pb
- Halide free
：H
- Status
：Active
- Channel Polarity
：N-Channel
- Configuration
：Single
- V(BR)DSS Min (V)
：100
- VGS Max (V)
：±20
- VGS(th) Max (V)
：4
- ID Max (A)
：50
- PD Max (W)
：127
- RDS(on) Max @ VGS = 2.5 V(mΩ)
：-
- RDS(on) Max @ VGS = 4.5 V(mΩ)
：-
- RDS(on) Max @ VGS = 10 V(mΩ)
：10.2
- Qg Typ @ VGS = 4.5 V (nC)
：-
- Qg Typ @ VGS = 10 V (nC)
：25
- Ciss Typ (pF)
：1702
- Package Type
：DPAK-3/TO-252-3
| 供应商 | 型号 | 品牌 | 批号 | 封装 | 库存 | 备注 | 价格 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|
ON/安森美 |
24+ |
D-PAK(TO-252) |
30000 |
原装正品公司现货,假一赔十! |
询价 | ||
ON |
24+ |
TO-252 |
9000 |
只做原装正品 有挂有货 假一赔十 |
询价 | ||
ONSEMI/安森美 |
25+ |
TO252 |
90000 |
ONSEMI/安森美全新特价FDD86110即刻询购立享优惠#长期有货 |
询价 | ||
ON(安森美) |
2511 |
DPAK(TO-252) |
7144 |
电子元器件采购降本 30%!盈慧通原厂直采,砍掉中间差价 |
询价 | ||
FAIRCHILD/仙童 |
24+ |
QFN40 |
9600 |
原装现货,优势供应,支持实单! |
询价 | ||
ON |
24+ |
TO-252 |
5000 |
原厂授权代理 价格绝对优势 |
询价 | ||
FAIRCHI |
21+ |
TO-252 |
12588 |
原装正品,自己库存 假一罚十 |
询价 | ||
FAIRCHILD/仙童 |
23+ |
TO-252 |
84882 |
原厂授权一级代理,专业海外优势订货,价格优势、品种 |
询价 | ||
三年内 |
1983 |
只做原装正品 |
询价 | ||||
ON/安森美 |
22+ |
TO252 |
10000 |
原装正品 |
询价 |
