isc N-Channel MOSFET Transistor

FEATURES ·Drain Current : ID=50A@ TC=25℃ ·Drain Source Voltage : VDSS= 60V(Min) ·Static Drain-Source On-Resistance : RDS(on) = 4.1mΩ(Max) @VGS= 10V ·100 avalanche tested ·Minimum Lot-to-Lot variations for robust device performance and reliable operation DESCRIPTION ·motor drive, DC-DC co

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ISC

无锡固电

N-channel Enhancement Mode Power MOSFET

Features  VDS= 60V, ID= 50A RDS(ON)

文件：1.09091 Mbytes 页数：4 Pages

BYCHIP

百域芯

N-Channel PowerTrench짰 MOSFET 60 V, 50 A, 4.1 m廓

文件：247.22 Kbytes 页数：6 Pages

FAIRCHILD

仙童半导体

N 沟道 PowerTrench® MOSFET 60V，136 A，4.1 mΩ

该N沟道MOSFET专为使用同步或传统开关PWM控制器来改进总体效率和在最大程度上减少DC/DC转换器的开关结点振铃而设计。已经针对低栅极电荷、低rDS(on)、快速开关速度和软体二极管反向恢复性能进行了优化。 •VGS = 10 V，ID = 21.5 A时，最大rDS(on) = 4.1 mΩ\n•VGS = 8 V，ID = 19.5 A时，最大rDS(on) = 5 mΩ\n•100%经过UIL测试\n•符合RoHS标准;

ONSEMI

安森美半导体