isc N-Channel MOSFET Transistor

FEATURES ·Drain Current : ID=37A@ TC=25℃ ·Drain Source Voltage : VDSS=80V(Min) ·Static Drain-Source On-Resistance : RDS(on) =23mΩ(Max) @ VGS= 10V ·100 avalanche tested ·Minimum Lot-to-Lot variations for robust device performance and reliable operation DESCRIPTION ·motor drive, DC-DC co

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ISC

无锡固电

N-channel Enhancement Mode Power MOSFET

Features  VDS= 100V, ID= 40 A RDS(ON)

文件：689.98 Kbytes 页数：4 Pages

BYCHIP

百域芯

N-Channel Shielded Gate PowerTrench MOSFET 80 V, 37 A, 23 m Ohm

文件：171.82 Kbytes 页数：6 Pages

FAIRCHILD

仙童半导体

N 沟道，屏蔽门极，PowerTrench® MOSFET，80 V，37 A，23 mΩ

这一N沟道MOSFET器件采用飞兆半导体的高级PowerTrench®工艺生产，该工艺专为实现rDS(on)、开关性能以及坚固性而优化。 • Shielded Gate MOSFET Technology\n•VGS = 10 V，ID = 8 A时，最大rDS(on) = 23mΩ\n•VGS = 6 V，ID = 4.6 A时，最大rDS(on) = 37 mΩ\n•高性能沟道技术可实现极低的RDS(on)\n•在广泛使用的表面贴装封装中可实现高功率和高电流处理能力\n•与其他沟道技术相比，具有极低的Qg和Qgd\n•快速开关速度\n•100%经过UIL测试\n•符合RoHS标准;

ONSEMI

安森美半导体