FDD86326数据手册ONSEMI中文资料规格书
FDD86326规格书详情
描述 Description
这一N沟道MOSFET器件采用飞兆半导体的高级PowerTrench®工艺生产，该工艺专为实现rDS(on)、开关性能以及坚固性而优化。
特性 Features
• Shielded Gate MOSFET Technology
•VGS = 10 V，ID = 8 A时，最大rDS(on) = 23mΩ
•VGS = 6 V，ID = 4.6 A时，最大rDS(on) = 37 mΩ
•高性能沟道技术可实现极低的RDS(on)
•在广泛使用的表面贴装封装中可实现高功率和高电流处理能力
•与其他沟道技术相比，具有极低的Qg和Qgd
•快速开关速度
•100%经过UIL测试
•符合RoHS标准
应用 Application
• This product is general usage and suitable for many different applications.
技术参数
- 制造商编号
：FDD86326
- 生产厂家
：ONSEMI
- Pb-free
：Pb
- Halide free
：H
- Status
：Active
- Channel Polarity
：N-Channel
- Configuration
：Single
- V(BR)DSS Min (V)
：80
- VGS Max (V)
：±20
- VGS(th) Max (V)
：4
- ID Max (A)
：37
- PD Max (W)
：62
- RDS(on) Max @ VGS = 2.5 V(mΩ)
：-
- RDS(on) Max @ VGS = 4.5 V(mΩ)
：-
- RDS(on) Max @ VGS = 10 V(mΩ)
：23
- Qg Typ @ VGS = 4.5 V (nC)
：-
- Qg Typ @ VGS = 10 V (nC)
：7.6
- Ciss Typ (pF)
：780
- Package Type
：DPAK-3/TO-252-3
| 供应商 | 型号 | 品牌 | 批号 | 封装 | 库存 | 备注 | 价格 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|
FAIRCHI |
21+ |
TO-252 |
12588 |
原装正品,自己库存 假一罚十 |
询价 | ||
Fairchild/ON |
22+ |
TO2523 DPak (2 Leads + Tab) SC |
9000 |
原厂渠道,现货配单 |
询价 | ||
Fairchild |
23+ |
33500 |
询价 | ||||
FAIRCHILD |
TO-252 |
65890 |
一级代理 原装正品假一罚十价格优势长期供货 |
询价 | |||
FAIRCHILD |
23+ |
TO-252 |
10065 |
原装正品,有挂有货,假一赔十 |
询价 | ||
onsemi(安森美) |
24+ |
TO-252 |
9555 |
支持大陆交货,美金交易。原装现货库存。 |
询价 | ||
Fairchild |
1930+ |
N/A |
8719 |
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询价 | ||
ONSEMI/安森美 |
2511 |
DPAK-3TO-252-3 |
360000 |
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询价 | ||
ON/安森美 |
24+ |
TO-252 |
505348 |
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询价 | ||
Fairchild |
22+ |
NA |
8719 |
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询价 |
