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FDD86113LZ中文资料N 沟道，屏蔽门极，PowerTrench® MOSFET，100V，5.5 A，104 mΩ数据手册ONSEMI规格书
FDD86113LZ规格书详情
描述 Description
这一N沟道逻辑电平MOSFET器件采用飞兆半导体先进的PowerTrench®工艺生产，这一先进工艺是专为最大限度地降低导通阻抗并保持卓越开关性能而定制的。 旨在为增强ESD电压电平而增加了G-S齐纳管。
特性 Features
• Shielded Gate MOSFET Technology
• Max rDS(on) = 104 mΩ at VGS = 10 V, ID = 4.2 A
• Max rDS(on) = 156 mΩ at VGS = 4.5 V, ID = 3.4 A
• HBM SD Protection Level > 6 kV typical (Note 4)
• High Performance Trench Technology for Extremely Low rDS(on)
• High Power and Current Handling Capability in a widely used surface mount package
• 100% UIL Tested
• RoHS Compliant
应用 Application
• 消费型设备
技术参数
- 制造商编号
：FDD86113LZ
- 生产厂家
：ONSEMI
- Pb-free
：Pb
- Halide free
：H
- Status
：Active
- Channel Polarity
：N-Channel
- Configuration
：Single
- V(BR)DSS Min (V)
：100
- VGS Max (V)
：±20
- VGS(th) Max (V)
：3
- ID Max (A)
：5.5
- PD Max (W)
：29
- RDS(on) Max @ VGS = 2.5 V(mΩ)
：-
- RDS(on) Max @ VGS = 4.5 V(mΩ)
：156
- RDS(on) Max @ VGS = 10 V(mΩ)
：104
- Qg Typ @ VGS = 4.5 V (nC)
：-
- Qg Typ @ VGS = 10 V (nC)
：1.9
- Ciss Typ (pF)
：213
- Package Type
：DPAK-3/TO-252-3
| 供应商 | 型号 | 品牌 | 批号 | 封装 | 库存 | 备注 | 价格 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|
ON |
23+ |
TO-252-3 |
200 |
正规渠道,只有原装! |
询价 | ||
FAIRCHILD/仙童 |
新年份 |
TO-252 |
67410 |
一级代理原装正品现货,支持实单! |
询价 | ||
onsemi(安森美) |
24+ |
TO-252 |
9555 |
支持大陆交货,美金交易。原装现货库存。 |
询价 | ||
FAIRCHILD |
25+23+ |
TO252 |
13823 |
绝对原装正品全新进口深圳现货 |
询价 | ||
FAIRCHILD/仙童 |
2023+ |
TO-252 |
8635 |
一级代理优势现货,全新正品直营店 |
询价 | ||
FAIRCHILD/仙童 |
22+ |
DPAK-3 |
18000 |
原装正品 |
询价 | ||
FAIRCHILD/仙童 |
24+ |
TO252 |
9600 |
原装现货,优势供应,支持实单! |
询价 | ||
ONSEMI/安森美 |
24+ |
TO-252 |
7800 |
全新原厂原装正品现货,低价出售,实单可谈 |
询价 | ||
ON/安森美 |
24+ |
TO-252 |
505348 |
免费送样原盒原包现货一手渠道联系 |
询价 | ||
三年内 |
1983 |
只做原装正品 |
询价 |
