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FDD86113LZ数据手册ONSEMI中文资料规格书
FDD86113LZ规格书详情
描述 Description
这一N沟道逻辑电平MOSFET器件采用飞兆半导体先进的PowerTrench®工艺生产，这一先进工艺是专为最大限度地降低导通阻抗并保持卓越开关性能而定制的。 旨在为增强ESD电压电平而增加了G-S齐纳管。
特性 Features
• Shielded Gate MOSFET Technology
• Max rDS(on) = 104 mΩ at VGS = 10 V, ID = 4.2 A
• Max rDS(on) = 156 mΩ at VGS = 4.5 V, ID = 3.4 A
• HBM SD Protection Level > 6 kV typical (Note 4)
• High Performance Trench Technology for Extremely Low rDS(on)
• High Power and Current Handling Capability in a widely used surface mount package
• 100% UIL Tested
• RoHS Compliant
应用 Application
• 消费型设备
技术参数
- 制造商编号
：FDD86113LZ
- 生产厂家
：ONSEMI
- Pb-free
：Pb
- Halide free
：H
- Status
：Active
- Channel Polarity
：N-Channel
- Configuration
：Single
- V(BR)DSS Min (V)
：100
- VGS Max (V)
：±20
- VGS(th) Max (V)
：3
- ID Max (A)
：5.5
- PD Max (W)
：29
- RDS(on) Max @ VGS = 2.5 V(mΩ)
：-
- RDS(on) Max @ VGS = 4.5 V(mΩ)
：156
- RDS(on) Max @ VGS = 10 V(mΩ)
：104
- Qg Typ @ VGS = 4.5 V (nC)
：-
- Qg Typ @ VGS = 10 V (nC)
：1.9
- Ciss Typ (pF)
：213
- Package Type
：DPAK-3/TO-252-3
| 供应商 | 型号 | 品牌 | 批号 | 封装 | 库存 | 备注 | 价格 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|
ONSEMI/安森美 |
25+ |
TO-252 |
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ONSEMI/安森美 |
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DPAK-3TO-252-3 |
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FAIRCHILD/仙童 |
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FAIRCHILD/仙童 |
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TO252 |
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