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FDB075N15A-F085	文件：538.71 Kbytes Page：7 Pages	Marking：FDB075N15A；Package：D2-PAK；Channel Power Trench® MOSFET150V 110A, 7.5mΩ Features -TyprDS(on)=5.5mΩatVGS=10V,ID=80A -TypQg(tot)=80nCatVGS=10V,ID=80A -UISCapability -RoHSCompliant -QualifiedtoAECQ101 Applications -AutomotiveEngineControl -PowertrainManagement -SolenoidandMotorDrivers -IntegratedStarter/alternator -Primar	ONSEMION Semiconductor 安森美半导体安森美半导体公司	ONSEMI

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FDB075N15A-F085

文件：538.71 Kbytes

Page：7 Pages

Marking：FDB075N15A；Package：D2-PAK；Channel Power Trench® MOSFET150V 110A, 7.5mΩ

Features -TyprDS(on)=5.5mΩatVGS=10V,ID=80A -TypQg(tot)=80nCatVGS=10V,ID=80A -UISCapability -RoHSCompliant -QualifiedtoAECQ101 Applications -AutomotiveEngineControl -PowertrainManagement -SolenoidandMotorDrivers -IntegratedStarter/alternator -Primar

ONSEMION Semiconductor

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详细参数

型号：
FDB075N15A
功能描述：
MOSFET 150V N-Channel PowerTrench MOSFET
RoHS：
否
制造商：
STMicroelectronics
晶体管极性：
N-Channel
汲极/源极击穿电压：
650 V
闸/源击穿电压：
25 V
漏极连续电流：
130 A 电阻汲极/源极
RDS（导通）：
0.014 Ohms
配置：
Single
安装风格：
Through Hole
封装/箱体：
Max247
封装：
Tube

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