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FDB075N15A_F085	文件：368.29 Kbytes Page：5 Pages	N-Channel Power Trench짰 MOSFET 文件：368.29 Kbytes 页数：5 Pages	FairchildFairchild Semiconductor 仙童半导体飞兆/仙童半导体公司	Fairchild
FDB075N15A_F085	文件：300 bytes Page：1 Pages	N 沟道PowerTrench® MOSFET 150V，110A，5.5mΩ N-Channel Power Trench® MOSFET 150V, 110A, 5.5mΩ, Fairchild’s latest shielded gate PowerTrench® MOSFET, which combines a smaller QSYNC and soft reverse-recovery intrinsic body diode performance with fast switching, can substantially improve the efficiency of synchronous rectification. • 一般 rDS(on) = 5.5 mΩ（VGS=10V、ID=80A 时）\n•一般 Qg(tot) = 80nC（VGS = 10V、ID = 80A）\n•UIS 能力\n•符合 RoHS 标准\n•符合 AEC Q101 标准;	ONSEMI 安森美半导体	ONSEMI
FDB075N15A-F085	文件：538.71 Kbytes Page：7 Pages	丝印：FDB075N15A；Package：D2-PAK；Channel Power Trench® MOSFET150V 110A, 7.5mΩ Features -Typ rDS(on) = 5.5mΩ at VGS = 10V, ID = 80A -Typ Qg(tot) = 80nC at VGS = 10V, ID = 80A -UIS Capability -RoHS Compliant -Qualified to AEC Q101 Applications - Automotive Engine Control - Powertrain Management - Solenoid and Motor Drivers - Integrated Starter/alternator - Primar 文件：538.71 Kbytes 页数：7 Pages	ONSEMI 安森美半导体	ONSEMI
FDB33N25TM	文件：0 bytes Page：0 Pages	FAIRCHILD/仙童 TO-263	FAIRCHILD/仙童上传：深圳市吉铭电子科技有限公司	FAIRCHILD/仙童
FDB8443	文件：0 bytes Page：0 Pages	FAIRCHILD TO263	FairchildFairchild Semiconductor 仙童半导体飞兆/仙童半导体公司上传：深圳市旺财半导体有限公司	Fairchild

技术参数

Pb-free：
Pb
AEC Qualified：
A
Halide free：
H
PPAP Capablee：
P
Status：
Active
Channel Polarity：
N-Channel
V(BR)DSS Min (V)：
150
VGS Max (V)：
±20
VGS(th) Max (V)：
4
ID Max (A)：
110
PD Max (W)：
333
RDS(on) Max @ VGS = 10 V(mΩ)：
7.5
Qg Typ @ VGS = 10 V (nC)：
80
Ciss Typ (pF)：
5595
Package Type：
D2PAK-3/TO-263-2

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