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FDB075N15A_F085	文件：300 bytes Page：1 Pages	N 沟道PowerTrench® MOSFET 150V，110A，5.5mΩ; • 一般 rDS(on) = 5.5 mΩ（VGS=10V、ID=80A 时）\n•一般 Qg(tot) = 80nC（VGS = 10V、ID = 80A）\n•UIS 能力\n•符合 RoHS 标准\n•符合 AEC Q101 标准\n; N-Channel Power Trench® MOSFET 150V, 110A, 5.5mΩ, Fairchild’s latest shielded gate PowerTrench® MOSFET, which combines a smaller QSYNC and soft reverse-recovery intrinsic body diode performance with fast switching, can substantially improve the efficiency of synchronous rectification.	ONSEMION Semiconductor 安森美半导体安森美半导体公司	ONSEMI
FDB075N15A_F085	文件：368.29 Kbytes Page：5 Pages	N-Channel Power Trench짰 MOSFET	FairchildFairchild Semiconductor 仙童半导体飞兆/仙童半导体公司	Fairchild
FDB075N15A-F085	文件：538.71 Kbytes Page：7 Pages	丝印：FDB075N15A；Package：D2-PAK；Channel Power Trench® MOSFET150V 110A, 7.5mΩ Features -TyprDS(on)=5.5mΩatVGS=10V,ID=80A -TypQg(tot)=80nCatVGS=10V,ID=80A -UISCapability -RoHSCompliant -QualifiedtoAECQ101 Applications -AutomotiveEngineControl -PowertrainManagement -SolenoidandMotorDrivers -IntegratedStarter/alternator -Primar	ONSEMION Semiconductor 安森美半导体安森美半导体公司	ONSEMI

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FDB075N15A_F085

文件：300 bytes

Page：1 Pages

N 沟道PowerTrench® MOSFET 150V，110A，5.5mΩ; • 一般 rDS(on) = 5.5 mΩ（VGS=10V、ID=80A 时）\n•一般 Qg(tot) = 80nC（VGS = 10V、ID = 80A）\n•UIS 能力\n•符合 RoHS 标准\n•符合 AEC Q101 标准\n;

N-Channel Power Trench® MOSFET 150V, 110A, 5.5mΩ, Fairchild’s latest shielded gate PowerTrench® MOSFET, which combines a smaller QSYNC and soft reverse-recovery intrinsic body diode performance with fast switching, can substantially improve the efficiency of synchronous rectification.

ONSEMION Semiconductor

安森美半导体安森美半导体公司

ONSEMI

FDB075N15A_F085

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N-Channel Power Trench짰 MOSFET

FairchildFairchild Semiconductor

仙童半导体飞兆/仙童半导体公司

Fairchild

FDB075N15A-F085

文件：538.71 Kbytes

Page：7 Pages

丝印：FDB075N15A；Package：D2-PAK；Channel Power Trench® MOSFET150V 110A, 7.5mΩ

Features -TyprDS(on)=5.5mΩatVGS=10V,ID=80A -TypQg(tot)=80nCatVGS=10V,ID=80A -UISCapability -RoHSCompliant -QualifiedtoAECQ101 Applications -AutomotiveEngineControl -PowertrainManagement -SolenoidandMotorDrivers -IntegratedStarter/alternator -Primar

ONSEMION Semiconductor

安森美半导体安森美半导体公司

ONSEMI

技术参数

Pb-free：
Pb
AEC Qualified：
A
Halide free：
H
PPAP Capablee：
P
Status：
Active
Channel Polarity：
N-Channel
V(BR)DSS Min (V)：
150
VGS Max (V)：
±20
VGS(th) Max (V)：
4
ID Max (A)：
110
PD Max (W)：
333
RDS(on) Max @ VGS = 10 V(mΩ)：
7.5
Qg Typ @ VGS = 10 V (nC)：
80
Ciss Typ (pF)：
5595
Package Type：
D2PAK-3/TO-263-2

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