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AO4447L	文件：1.15858 Mbytes Page：7 Pages	P-ChannelEnhancementModeFieldEffectTransistor GeneralDescription TheAO4447usesadvancedtrenchtechnologytoprovideexcellentRDS(ON),andultra-lowlowgatecharge.Thisdeviceissuitableforuseasaloadswitch.ThedeviceisESDprotected.StandardProductAO4447isPb-free(meetsROHS&Sony259specifications).AO4447LisaGr	AOSMDAlpha & Omega Semiconductors 万国半导体美国万国半导体	AOSMD
E4447A	文件：255.16 Kbytes Page：25 Pages	AgilentPSASeriesSpectrumAnalyzers	HPAgilent(Hewlett-Packard) 安捷伦科技安捷伦科技有限公司	HP
E4447A	文件：379.62 Kbytes Page：9 Pages	CalibrationandAdjustmentSoftwareforAgilentRF/WInstruments	HPAgilent(Hewlett-Packard) 安捷伦科技安捷伦科技有限公司	HP
E4447A-AYZ	文件：255.16 Kbytes Page：25 Pages	AgilentPSASeriesSpectrumAnalyzers	HPAgilent(Hewlett-Packard) 安捷伦科技安捷伦科技有限公司	HP
E4447A-BAB	文件：255.16 Kbytes Page：25 Pages	AgilentPSASeriesSpectrumAnalyzers	HPAgilent(Hewlett-Packard) 安捷伦科技安捷伦科技有限公司	HP
FDLL4447	文件：336.14 Kbytes Page：10 Pages	GeneralPurposeDiodes	FairchildFairchild Semiconductor 仙童半导体飞兆/仙童半导体公司	Fairchild
FDLL4447	文件：292.518 Kbytes Page：1 Pages	SILICONEPITAXIALPLANARDIODES	SUNMATESUNMATE electronic Co., LTD 森美特森美特半导体股份有限公司 PDF上传者：深圳市福田区吉富昌电子商行	SUNMATE
LL4447	文件：290.86 Kbytes Page：1 Pages	SILICONEPITAXIALPLANARDIODES Features ●SwitchingSpeed MechanicalData ●Case:SDO-80/LL34 ●Terminals:SolderableperMIL-STD-202,Method208 ●Polarity:CathodeBand ●Marking:CathodeBandOnly ●Weight:0.05grams(approx.)	SUNMATESUNMATE electronic Co., LTD 森美特森美特半导体股份有限公司	SUNMATE
LL4447	文件：65.45 Kbytes Page：1 Pages	SiliconEpitaxialPlanarSwitchingDiode SiliconEpitaxialPlanarSwitchingDiode forgeneralpurposeandswitching.	DGNJDZNanjing International Group Co 南晶电子东莞市南晶电子有限公司	DGNJDZ
LL4447	文件：292.042 Kbytes Page：1 Pages	SILICONEPITAXIALPLANARDIODES	SUNMATESUNMATE electronic Co., LTD 森美特森美特半导体股份有限公司 PDF上传者：深圳市福田区吉富昌电子商行	SUNMATE

详细参数

型号：
AO4447A
功能描述：
MOSFET P-CH 30V 17A 8-SOIC
RoHS：
是
类别：
分离式半导体产品 >> FET - 单
系列：
-
标准包装：
1,000
系列：
MESH OVERLAY™ FET
型：
MOSFET N 通道，金属氧化物 FET
特点：
逻辑电平门
漏极至源极电压(Vdss)：
200V 电流 - 连续漏极(Id) @ 25°
C：
18A 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25°
C：
180 毫欧 @ 9A，10V Id 时的
Vgs(th)（最大）：
4V @ 250µA 闸电荷(Qg) @
Vgs：
72nC @ 10V 输入电容(Ciss) @
Vds：
1560pF @ 25V 功率 -
最大：
40W
安装类型：
通孔
封装/外壳：
TO-220-3 整包
供应商设备封装：
TO-220FP
包装：
管件

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