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AO4480	文件：621.24 Kbytes Page：6 Pages	丝印：AO4480；Package：SOP-8；N-Channel MOSFET Product Summary VDS (V) = 40V ID = 14A RDS(ON) 文件：621.24 Kbytes 页数：6 Pages	UMW 友台半导体	UMW
AO4480	文件：1.95374 Mbytes Page：5 Pages	丝印：4480；Package：SOP-8；N-Channel Enhancement Mode Power MOSFET GENERAL FEATURES > Veo = 40V Io =15A \| Roson 文件：1.95374 Mbytes 页数：5 Pages	TECHPUBLIC 台舟电子	TECHPUBLIC
AO4480	文件：473 Kbytes Page：4 Pages	40V N-Channel MOSFET General Description The AO4480 uses advanced trench technology to provide excellent RDS(ON), low gate charge. It is ESD Protected. This device is suitable for use as a low side switch in SMPS and general purpose applications. Product Summary VDS (V) = 40V ID = 14A (VGS = 10V) RDS(ON) 文件：473 Kbytes 页数：4 Pages	EVVOSEMI 翊欧	EVVOSEMI
AO4480	文件：141.23 Kbytes Page：4 Pages	N-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor General Description The AO4480 uses advanced trench technology to provide excellent RDS(ON), low gate charge. It is ESD Protected. This device is suitable for use as a low side switch in SMPS and general purpose applications. Product Summary VDS (V) = 40V ID = 14A (VGS = 10V) RDS(ON) 文件：141.23 Kbytes 页数：4 Pages	AOSMD 万国半导体	AOSMD
AO4480	文件：1.51666 Mbytes Page：4 Pages	丝印：4480；Package：SOP-8；N-Channel MOSFET ■ Features ● VDS (V) = 40V ● ID = 14 A (VGS = 10V) ● RDS(ON) 文件：1.51666 Mbytes 页数：4 Pages	KEXIN 科信电子	KEXIN
AO4480	文件：1.89199 Mbytes Page：9 Pages	N-Channel 40-V (D-S) MOSFET FEATURES • Halogen-free According to IEC 61249-2-21 Definition • TrenchFET® Power MOSFET • 100 Rg Tested • 100 UIS Tested • Compliant to RoHS directive 2002/95/EC APPLICATIONS • Synchronous Rectification • POL, IBC - Secondary Side 文件：1.89199 Mbytes 页数：9 Pages	VBSEMI 微碧半导体	VBSEMI
AO4480	文件：1.69966 Mbytes Page：4 Pages	40V N-Channel MOSFET General Description The AO4480 uses advanced trench technology to provide excellent RDS(ON), low gate charge. It is ESD Protected. This device is suitable for use as a low side switch in SMPS and general purpose applications. Product Summary VDS (V) = 40V ID = 14A (VGS = 10V) RDS(ON) 文件：1.69966 Mbytes 页数：4 Pages	WHXPCB 万和兴电子	WHXPCB
AO4480	文件：673.13 Kbytes Page：5 Pages	N-Channel MOSFET uses advanced trench technology Description： This N-Channel MOSFET uses advanced trench technology and design to provide excellent RDS(on) with low gate charge. It can be used in a wide variety of applications. Features： 1) VDS=40V,ID=12A,RDS(ON) 文件：673.13 Kbytes 页数：5 Pages	DOINGTER 杜因特	DOINGTER
AO4480	文件：173.14 Kbytes Page：4 Pages	40V N-Channel MOSFET 文件：173.14 Kbytes 页数：4 Pages	AOSMD 万国半导体	AOSMD
AO4480	文件：300 bytes Page：1 Pages	N-Channel MOSFET	XW 芯微半导体	XW

技术参数

Package：
SO8
Configuration：
Single
Polarity：
N
VDS (V)：
40
VGS (±V)：
20
10V：
11.50
4.5V：
15.50
ID @ 25°C (A)：
14
PD @ 25°C (W)：
3.10
Qg (10V)(nC)：
22
Qg (4.5V)(nC)：
10.50
VGS(th) max (V)：
3
Ciss (pF)：
1600
Coss (pF)：
320
Crss (pF)：
100
Qgd (nC)：
4.80
tD(on) (ns)：
3.50
tD(off) (ns)：
13.20
Trr (ns)：
31
Qrr (nC)：
33
Qualification：
Industrial
ESD Diode：
Yes
Tj max (°C)：
150

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