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AO4466	文件：429.63 Kbytes Page：8 Pages	丝印：AO4466；Package：SOP-8；N-Channel MOSFET Product Summary VDS (V) = 30V ID =10A RDS(ON) 文件：429.63 Kbytes 页数：8 Pages	UMW 友台半导体	UMW
AO4466	文件：421.21 Kbytes Page：8 Pages	丝印：AO4466；Package：SOP-8；N-Channel MOSFET General Description The AO4466 uses advanced trench technology to provide excellent RDS(ON) and low gate charge. This device is suitable for use as a load switch or in PWM applications. The source leads are separated to allow a Kelvin connection to the source, which may be used to bypass the 文件：421.21 Kbytes 页数：8 Pages	EVVOSEMI 翊欧	EVVOSEMI
AO4466	文件：127.82 Kbytes Page：4 Pages	N-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor General Description The AO4466 uses advanced trench technology to provide excellent RDS(ON) and low gate charge. This device is suitable for use as a load switch or in PWM applications. The source leads are separated to allow a Kelvin connection to the source, which may be used to bypass the sour 文件：127.82 Kbytes 页数：4 Pages	AOSMD 万国半导体	AOSMD
AO4466	文件：1.42012 Mbytes Page：4 Pages	丝印：4466；Package：SOP-8；N-Channel MOSFET ■ Features ● VDS (V) = 30V ● ID = 9.4 A (VGS = 10V) ● RDS(ON) 文件：1.42012 Mbytes 页数：4 Pages	KEXIN 科信电子	KEXIN
AO4466	文件：1.0065 Mbytes Page：9 Pages	N-Channel 20V (D-S) MOSFET FEATURES • Halogen-free • TrenchFET® Power MOSFET • Optimized for High-Side Synchronous Rectifier Operation • 100 Rg Tested • 100 UIS Tested APPLICATIONS • Notebook CPU Core - High-Side Switch 文件：1.0065 Mbytes 页数：9 Pages	VBSEMI 微碧半导体	VBSEMI
AO4466	文件：2.58648 Mbytes Page：6 Pages	30V N-Channel MOSFET General Description The AO4466 uses advanced trench technology to provide excellent RDS(ON) and low gate charge. This device is suitable for use as a load switch or in PWM applications. The source leads are separated to allow a Kelvin connection to the source, which may be used to bypass the sour 文件：2.58648 Mbytes 页数：6 Pages	WHXPCB 万和兴电子	WHXPCB
AO4466	文件：757.94 Kbytes Page：6 Pages	N-Channel MOSFET uses advanced trench technology Description： This N-Channel MOSFET uses advanced trench technology and design to provide excellent RDS(on) with low gate charge. It can be used in a wide variety of applications. Features： 1) VDS=30V,ID= 9A,RDS(ON) 文件：757.94 Kbytes 页数：6 Pages	DOINGTER 杜因特	DOINGTER
AO4466	文件：411.62 Kbytes Page：6 Pages	30V N-Channel MOSFET 文件：411.62 Kbytes 页数：6 Pages	AOSMD 万国半导体	AOSMD
AO4466	文件：300 bytes Page：1 Pages	低压MOSFET (12V - 30V) 30V N-Channel MOSFET	AOS 美国万代	AOS
AO4466-HF	文件：1.47095 Mbytes Page：4 Pages	丝印：4466；Package：SOP-8；N-Channel MOSFET ■ Features ● VDS (V) = 30V ● ID = 9.4 A (VGS = 10V) ● RDS(ON) 文件：1.47095 Mbytes 页数：4 Pages	KEXIN 科信电子	KEXIN

详细参数

型号：
AO4466
功能描述：
MOSFET N-CH 30V 9.4A 8-SOIC
RoHS：
是
类别：
分离式半导体产品 >> FET - 单
系列：
-
标准包装：
1,000
系列：
MESH OVERLAY™ FET
型：
MOSFET N 通道，金属氧化物 FET
特点：
逻辑电平门
漏极至源极电压(Vdss)：
200V 电流 - 连续漏极(Id) @ 25°
C：
18A 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25°
C：
180 毫欧 @ 9A，10V Id 时的
Vgs(th)（最大）：
4V @ 250µA 闸电荷(Qg) @
Vgs：
72nC @ 10V 输入电容(Ciss) @
Vds：
1560pF @ 25V 功率 -
最大：
40W
安装类型：
通孔
封装/外壳：
TO-220-3 整包
供应商设备封装：
TO-220FP
包装：
管件

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