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IXTC96N25T	文件：294.35 Kbytes Page：2 Pages	iscN-ChannelMOSFETTransistor •FEATURES •DrainSourceVoltage- :VDSS=250V(Min) •StaticDrain-SourceOn-Resistance :RDS(on)=44mΩ(Max) •FastSwitching •100avalanchetested •MinimumLot-to-Lotvariationsforrobustdevice performanceandreliableoperation •APPLICATIONS •Switch-ModeandResonant-	ISCInchange Semiconductor Company Limited 无锡固电无锡固电半导体股份有限公司	ISC
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