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IXTQ102N15T	文件：239.52 Kbytes Page：7 Pages	Trench Gate Power MOSFET N-Channel Enhancement Mode Avalanche Rated Trench Gate Power MOSFET N-Channel Enhancement Mode Avalanche Rated Features • International standard packages • Avalanche rated Advantages • Easy to mount • Space savings • High power density Applications • DC-DC converters • Battery chargers • Switched-mode and resonant-mode power 文件：239.52 Kbytes 页数：7 Pages	IXYS 艾赛斯	IXYS
IXTQ102N15T	文件：301.07 Kbytes Page：2 Pages	isc N-Channel MOSFET Transistor 文件：301.07 Kbytes 页数：2 Pages	ISC 无锡固电	ISC
IXTQ102N15T	文件：300 bytes Page：1 Pages	N通道沟槽栅MOSFET • 国际标准包装\n• 低RDS(ON)\n• 雪崩评级\n• 高电流处理能力\n• 快速本征整流器;	Littelfuse 力特	Littelfuse
IXFA102N15T	文件：224.05 Kbytes Page：6 Pages	Trench Gate Power MOSFET HiperFET Trench Gate Power MOSFET HiperFET™ N-Channel Enhancement Mode Avalanche Rated Features • International Standard Packages • Avalanche Rated Advantages • Easy to Mount • Space Savings • High Power Density Applications • DC-DC Converters • Battery Chargers • Switched-Mode and Resonant-Mod 文件：224.05 Kbytes 页数：6 Pages	IXYS 艾赛斯	IXYS
IXFA102N15T	文件：298.8 Kbytes Page：2 Pages	isc N-Channel MOSFET Transistor 文件：298.8 Kbytes 页数：2 Pages	ISC 无锡固电	ISC
IXFH102N15T	文件：224.05 Kbytes Page：6 Pages	Trench Gate Power MOSFET HiperFET Trench Gate Power MOSFET HiperFET™ N-Channel Enhancement Mode Avalanche Rated Features • International Standard Packages • Avalanche Rated Advantages • Easy to Mount • Space Savings • High Power Density Applications • DC-DC Converters • Battery Chargers • Switched-Mode and Resonant-Mod 文件：224.05 Kbytes 页数：6 Pages	IXYS 艾赛斯	IXYS

技术参数

Maximum On-Resistance @ 25 ℃ (Ohm)：
0.018
Continuous Drain Current @ 25 ℃ (A)：
102
Gate Charge (nC)：
87
Thermal resistance [junction-case](K/W)：
0.33
Configuration：
Single
Package Type：
TO-3P
Typical Reverse Recovery Time (ns)：
97
Power Dissipation (W)：
455
Sample Request：
No

供应商	型号	品牌	批号	封装	库存	备注	价格
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更多IXTQ102N15T供应商更新时间2025-10-4 14:14:00

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