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IXTQ10P50P	文件：185.69 Kbytes Page：6 Pages	PolarPTM Power MOSFETs P-Channel Enhancement Mode Avalanche Rated PolarP™PowerMOSFETs P-ChannelEnhancementMode AvalancheRated Features •InternationalStandardPackages •AvalancheRated •RuggedPolarPTMProcess •LowPackageInductance •FastIntrinsicDiode Advantages •EasytoMount •SpaceSavings •HighPowerDensity Applications •High-	IXYS IXYS Corporation	IXYS
IXTQ10P50P	文件：300 bytes Page：1 Pages	P通道MOSFET; • 快速本征二极管\n• Rugged PolarP™工艺\n• 雪崩评级\n• 较低的封装电感\n• 动态dv/dt额定\n;	Littelfuselittelfuse 力特力特公司	Littelfuse
IXTT10P50	文件：123.05 Kbytes Page：2 Pages	StandardPowerMOSFETP-ChannelEnhancementModeAvalancheRated StandardPowerMOSFET P-ChannelEnhancementMode AvalancheRated Features •Internationalstandardpackages •LowRDS(on)HDMOSTMprocess •Ruggedpolysilicongatecellstructure •UnclampedInductiveSwitching(UIS)rated •Lowpackageinductance -easytodriveandtoprotect Advan	IXYS IXYS Corporation	IXYS
TK10P50W	文件：334.05 Kbytes Page：2 Pages	iscN-ChannelMOSFETTransistor	ISCInchange Semiconductor Company Limited 无锡固电无锡固电半导体股份有限公司	ISC
TK10P50W	文件：279.42 Kbytes Page：10 Pages	MOSFETsSiliconN-ChannelMOS Applications •SwitchingVoltageRegulators Features (1)Lowdrain-sourceon-resistance:RDS(ON)=0.327Ω(typ.) byusedtoSuperJunctionStructure:DTMOS (2)EasytocontrolGateswitching (3)Enhancementmode:Vth=2.7to3.7V(VDS=10V,ID=0.5mA)	TOSHIBAToshiba Semiconductor 东芝株式会社东芝	TOSHIBA

技术参数

Maximum On-Resistance @ 25 ℃ (Ohm)：
1
Continuous Drain Current @ 25 ℃ (A)：
-10
Gate Charge (nC)：
50
Thermal resistance [junction-case](K/W)：
0.42
Configuration：
Single
Package Type：
TO-3P
Typical Reverse Recovery Time (ns)：
414
Power Dissipation (W)：
300
Sample Request：
Yes
Check Stock：
Yes

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深圳市高捷芯城科技有限公司	IXTQ10P50P	Littelfuse/IXYS	24+	TO-3P	7814	支持大陆交货,美金交易。原装现货库存。	询价
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更多IXTQ10P50P供应商更新时间2025-7-31 10:22:00

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