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IXTQ10P50P	文件：185.69 Kbytes Page：6 Pages	PolarPTM Power MOSFETs P-Channel Enhancement Mode Avalanche Rated PolarP™PowerMOSFETs P-ChannelEnhancementMode AvalancheRated Features •InternationalStandardPackages •AvalancheRated •RuggedPolarPTMProcess •LowPackageInductance •FastIntrinsicDiode Advantages •EasytoMount •SpaceSavings •HighPowerDensity Applications •High-	IXYS IXYS Integrated Circuits Division
FLX10P50	文件：109.45 Kbytes Page：2 Pages	HighVoltagePowerSupplies	TDKTDK Corporation 东电化（中国）投资有限公司
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IXTH10P50	文件：123.05 Kbytes Page：2 Pages	StandardPowerMOSFETP-ChannelEnhancementModeAvalancheRated StandardPowerMOSFET P-ChannelEnhancementMode AvalancheRated Features •Internationalstandardpackages •LowRDS(on)HDMOSTMprocess •Ruggedpolysilicongatecellstructure •UnclampedInductiveSwitching(UIS)rated •Lowpackageinductance -easytodriveandtoprotect Advan	IXYS IXYS Integrated Circuits Division
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IXTT10P50	文件：123.05 Kbytes Page：2 Pages	StandardPowerMOSFETP-ChannelEnhancementModeAvalancheRated StandardPowerMOSFET P-ChannelEnhancementMode AvalancheRated Features •Internationalstandardpackages •LowRDS(on)HDMOSTMprocess •Ruggedpolysilicongatecellstructure •UnclampedInductiveSwitching(UIS)rated •Lowpackageinductance -easytodriveandtoprotect Advan	IXYS IXYS Integrated Circuits Division
TK10P50W	文件：334.05 Kbytes Page：2 Pages	iscN-ChannelMOSFETTransistor	ISCInchange Semiconductor Company Limited 无锡固电无锡固电半导体股份有限公司
TK10P50W	文件：279.42 Kbytes Page：10 Pages	MOSFETsSiliconN-ChannelMOS Applications •SwitchingVoltageRegulators Features (1)Lowdrain-sourceon-resistance:RDS(ON)=0.327Ω(typ.) byusedtoSuperJunctionStructure:DTMOS (2)EasytocontrolGateswitching (3)Enhancementmode:Vth=2.7to3.7V(VDS=10V,ID=0.5mA)	TOSHIBAToshiba Semiconductor 东芝株式会社東芝
V10P50P	文件：1.71269 Mbytes Page：12 Pages	Reducedfootprintandvolumerequiredforsurgeprotection	LittelfuseLittelfuse Inc. 力特力特公司
WPP10P50K-F	文件：156.38 Kbytes Page：2 Pages	AxialLeadedHighFrequencyPulseCapacitors	etc2List of Unclassifed Manufacturers etc2未分类制造商
WPP10P50K-F	文件：156.38 Kbytes Page：2 Pages	Film/FoilPolypropyleneCapacitors	CDE Cornell Dubilier Electronics

详细参数

型号：
IXTQ10P50P
功能描述：
MOSFET -10.0 Amps -500V 1.000 Rds
RoHS：
否
制造商：
STMicroelectronics
晶体管极性：
N-Channel
汲极/源极击穿电压：
650 V
闸/源击穿电压：
25 V
漏极连续电流：
130 A 电阻汲极/源极
RDS（导通）：
0.014 Ohms
配置：
Single
安装风格：
Through Hole
封装/箱体：
Max247
封装：
Tube

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