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IXTQ14N60P	文件：301.25 Kbytes Page：2 Pages	isc N-Channel MOSFET Transistor	ISCInchange Semiconductor Company Limited 无锡固电无锡固电半导体股份有限公司	ISC
IXTQ14N60P	文件：166.3 Kbytes Page：5 Pages	P-Channel Enhancement Mode Avalanche Rated	IXYS IXYS Corporation	IXYS
IXTQ14N60P	文件：207.02 Kbytes Page：6 Pages	Enhancement Mode Power MOSFET	IXYS IXYS Corporation	IXYS
MGP14N60E	文件：121.76 Kbytes Page：5 Pages	SHORTCIRCUITRATEDLOWON-VOLTAGE ThisInsulatedGateBipolarTransistor(IGBT)usesanadvancedterminationschemetoprovideanenhancedandreliablehighvoltage–blockingcapability.Itsnew600VIGBTtechnologyisspecificallysuitedforapplicationsrequiringbothahightemperatureshortcircuitcapabilityandalowVCE(on)	ONSEMION Semiconductor 安森美半导体安森美半导体公司	ONSEMI
MGP14N60E	文件：125.43 Kbytes Page：6 Pages	InsulatedGateBipolarTransistor ThisInsulatedGateBipolarTransistor(IGBT)usesanadvancedterminationschemetoprovideanenhancedandreliablehighvoltage–blockingcapability.Itsnew600VIGBTtechnologyisspecificallysuitedforapplicationsrequiringbothahightemperatureshortcircuitcapabilityandalowVCE(on)	MotorolaMotorola, Inc 摩托罗拉加尔文制造公司	Motorola
MGW14N60ED	文件：154 Kbytes Page：6 Pages	InsulatedGateBipolarTransistor InsulatedGateBipolarTransistor N–ChannelEnhancement–ModeSiliconGate ThisInsulatedGateBipolarTransistor(IGBT)isco–packagedwithasoftrecoveryultra–fastrectifierandusesanadvancedterminationschemetoprovideanenhancedandreliablehighvoltage–blockingcapability.Itsnew6	ONSEMION Semiconductor 安森美半导体安森美半导体公司	ONSEMI
MS14N60	文件：404.26 Kbytes Page：4 Pages	900VN-ChannelMOSFET	BWTECH Bruckewell Technology LTD	BWTECH
MSF14N60	文件：402.81 Kbytes Page：4 Pages	N-ChannelEnhancementModePowerMOSFET	BWTECH Bruckewell Technology LTD	BWTECH
MTN14N60FP	文件：345.03 Kbytes Page：9 Pages	N-ChannelEnhancementModePowerMOSFET	CYSTEKECCystech Electonics Corp. 全宇昕科技全宇昕科技股份有限公司	CYSTEKEC
SIHA14N60E	文件：154.76 Kbytes Page：7 Pages	ESeriesPowerMOSFET	VishayVishay Siliconix 威世科技威世科技半导体	Vishay

详细参数

型号：
IXTQ14N60P
功能描述：
MOSFET 14.0 Amps 600 V 0.55 Ohm Rds
RoHS：
否
制造商：
STMicroelectronics
晶体管极性：
N-Channel
汲极/源极击穿电压：
650 V
闸/源击穿电压：
25 V
漏极连续电流：
130 A 电阻汲极/源极
RDS（导通）：
0.014 Ohms
配置：
Single
安装风格：
Through Hole
封装/箱体：
Max247
封装：
Tube

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