IXTQ180N055T资料使用说明书批发采购瑞萨-114ic电子网

首页 >IXTQ180N055T>规格书列表

零件编号	下载订购	功能描述/丝印	制造商上传企业	LOGO
IXTQ180N055T	文件：117.16 Kbytes Page：5 Pages	Trench Gate Power MOSFET TrenchGatePowerMOSFET N-ChannelEnhancementMode Features •Internationalstandardpackages •UnclampedInductiveSwitching(UIS)rated •Lowpackageinductance -easytodriveandtoprotect Advantages •Easytomount •Spacesavings •Highpowerdensity	IXYS IXYS Corporation	IXYS
IXTA180N055T	文件：117.16 Kbytes Page：5 Pages	TrenchGatePowerMOSFET TrenchGatePowerMOSFET N-ChannelEnhancementMode Features •Internationalstandardpackages •UnclampedInductiveSwitching(UIS)rated •Lowpackageinductance -easytodriveandtoprotect Advantages •Easytomount •Spacesavings •Highpowerdensity	IXYS IXYS Corporation	IXYS
IXTP180N055T	文件：117.16 Kbytes Page：5 Pages	TrenchGatePowerMOSFET TrenchGatePowerMOSFET N-ChannelEnhancementMode Features •Internationalstandardpackages •UnclampedInductiveSwitching(UIS)rated •Lowpackageinductance -easytodriveandtoprotect Advantages •Easytomount •Spacesavings •Highpowerdensity	IXYS IXYS Corporation	IXYS
NP180N055TUJ	文件：5.67799 Mbytes Page：6 Pages	ProductScoutAutomotive	RENESASRenesas Technology Corp 瑞萨瑞萨科技有限公司	RENESAS
NP180N055TUJ	文件：217.83 Kbytes Page：8 Pages	MOSFIELDEFFECTTRANSISTOR Description TheNP180N055TUJisN-channelMOSFieldEffectTransistordesignedforhighcurrentswitchingapplications. Features •Lowon-stateresistance ⎯RDS(on)=2.3mΩMAX.(VGS=10V,ID=90A) •LowCiss:Ciss=9500pFTYP.(VDS=25V) •Designedforautomotiveapplicationand	RENESASRenesas Technology Corp 瑞萨瑞萨科技有限公司	RENESAS
NP180N055TUK	文件：270.42 Kbytes Page：8 Pages	MOSFIELDEFFECTTRANSISTOR Description TheNP180N055TUKisN-channelMOSFieldEffectTransistordesignedforhighcurrentswitchingapplications. Features Superlowon-stateresistance RDS(on)=1.40mMAX.(VGS=10V,ID=90A) LowCiss:Ciss=10700pFTYP.(VDS=25V) Designedforautomotiveapplication	RENESASRenesas Technology Corp 瑞萨瑞萨科技有限公司	RENESAS
NP180N055TUK	文件：111.71 Kbytes Page：8 Pages	MOSFIELDEFFECTTRANSISTOR Description TheNP180N055TUKisN-channelMOSFieldEffectTransistordesignedforhighcurrentswitchingapplications. Features •Superlowon-stateresistance RDS(on)=1.40mΩMAX.(VGS=10V,ID=90A) •LowCiss:Ciss=10700pFTYP.(VDS=25V) •Designedforautomotiveapplicati	RENESASRenesas Technology Corp 瑞萨瑞萨科技有限公司	RENESAS
NP180N055TUK	文件：5.67799 Mbytes Page：6 Pages	ProductScoutAutomotive	RENESASRenesas Technology Corp 瑞萨瑞萨科技有限公司	RENESAS

详细参数

型号：
IXTQ180N055T
功能描述：
MOSFET 180 Amps 55V 0.004 Ohm Rds
RoHS：
否
制造商：
STMicroelectronics
晶体管极性：
N-Channel
汲极/源极击穿电压：
650 V
闸/源击穿电压：
25 V
漏极连续电流：
130 A 电阻汲极/源极
RDS（导通）：
0.014 Ohms
配置：
Single
安装风格：
Through Hole
封装/箱体：
Max247
封装：
Tube

供应商	型号	品牌	批号	封装	库存	备注	价格
深圳市永贝尔科技有限公司	IXTQ180N055T	IXYS	23+	NA	19960	只做进口原装,终端工厂免费送样	询价
深圳市科雨电子有限公司	IXTQ180N055T	IXYS	1503+	TO-3P	3000	就找我吧!--邀您体验愉快问购元件!	询价
深圳市河锋鑫科技有限公司	IXTQ180N055T	IXYS	22+	TO3P3 SC653	9000	原厂渠道,现货配单	询价
深圳市芯福林电子科技有限公司	IXTQ180N055T	IXYS	21+	TO3P3 SC653	13880	公司只售原装,支持实单	询价
易创佳业科技（深圳）有限公司	IXTQ180N055T	IXYS/艾赛斯	23+	TO-3P	6000	原装正品，支持实单	询价
深圳市鹏顺微电子科技有限公司	IXTQ180N055T	IXYS	2022+	TO-3P-3,SC-65-3	38550	全新原装支持表配单中国著名电子元器件独立分销	询价
深圳市创新迹电子有限公司	IXTQ180N055T	IXYS/艾赛斯	22+	TO-3P	25000	只做原装进口现货,专注配单	询价
深圳市宏捷佳电子科技有限公司	IXTQ180N055T	IXYS	25+	TO-3P	12300	独立分销商公司只做原装诚心经营免费试样正品保证	询价
中天科工半导体（深圳）有限公司	IXTQ180N085T	IXYS	20+	TO-3P	36900	原装优势主营型号-可开原型号增税票	询价
深圳市纳立科技有限公司	IXTQ180N10T	IXYS	三年内		1983	只做原装正品	询价

更多IXTQ180N055T供应商更新时间2025-5-21 13:47:00

客户服务网站合作

Tel：0755 8246 9263
Email：kf＠114ic.com
投诉建议：kf@114ic.com

Copyright © 2003-2025 114ic.com All Rights Reserved 粤ICP备05011613号粤公网安备 44030402000933号