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IXTQ28N15P	文件：100 bytes Page：1 Pages	Package：TO-3P-3，SC-65-3；包装：管件类别：分立半导体产品晶体管 - FET，MOSFET - 单个描述：MOSFET N-CH TO3P	IXYS IXYS Corporation	IXYS
FKD28N15	文件：707.5 Kbytes Page：4 Pages	N-Ch150VFastSwitchingMOSFETs Description TheFKD28N15isthehighestperformance trenchN-chMOSFETswithextremehighcell density,whichprovideexcellentRDSONandgate chargeformostofthesynchronousbuck converterapplications. TheFKD28N15meettheRoHSandGreen Productrequirement,100EASguaranteedwith f	FETEKFETek Technology Corp. 台湾东沅东沅科技股份有限公司	FETEK
FQA28N15	文件：815.07 Kbytes Page：9 Pages	150VN-ChannelMOSFET	FairchildFairchild Semiconductor 仙童半导体飞兆/仙童半导体公司	Fairchild
FQA28N15	文件：346.7 Kbytes Page：2 Pages	IscN-ChannelMOSFETTransistor FEATURES ·DrainCurrent–ID=33A@TC=25℃ ·DrainSourceVoltage- :VDSS=150V(Min) ·StaticDrain-SourceOn-Resistance :RDS(on)=0.09Ω(Max)@VGS=10V ·100avalanchetested ·MinimumLot-to-Lotvariationsforrobustdevice performanceandreliableoperation DESCRIPTION ·motordrive,DC-DCco	ISCInchange Semiconductor Company Limited 无锡固电无锡固电半导体股份有限公司	ISC
FQA28N15	文件：794.96 Kbytes Page：8 Pages	150VN-ChannelMOSFET Description TheseN-ChannelenhancementmodepowerfieldeffecttransistorsareproducedusingFairchild’sproprietary,planarstripe,DMOStechnology. Thisadvancedtechnologyhasbeenespeciallytailoredtominimizeon-stateresistance,providesuperiorswitchingperformance,andwithstandhig	FairchildFairchild Semiconductor 仙童半导体飞兆/仙童半导体公司	Fairchild
FQAF28N15	文件：420.91 Kbytes Page：2 Pages	iscN-ChannelMOSFETTransistor FEATURES ·DrainCurrent–ID=22A@TC=25℃ ·DrainSourceVoltage- :VDSS=150V(Min) ·StaticDrain-SourceOn-Resistance :RDS(on)=0.09Ω(Max)@VGS=10V ·100avalanchetested ·MinimumLot-to-Lotvariationsforrobustdevice performanceandreliableoperation DESCRIPTION ·motordrive,DC-DCcon	ISCInchange Semiconductor Company Limited 无锡固电无锡固电半导体股份有限公司	ISC
FQAF28N15	文件：786.3 Kbytes Page：8 Pages	150VN-ChannelMOSFET Features •22A,150V,RDS(on)=0.09Ω@VGS=10V •Lowgatecharge(typical40nC) •LowCrss(typical50pF) •Fastswitching •100avalanchetested •Improveddv/dtcapability •175°Cmaximumjunctiontemperaturerating	FairchildFairchild Semiconductor 仙童半导体飞兆/仙童半导体公司	Fairchild
FQB28N15	文件：627.82 Kbytes Page：9 Pages	150VN-ChannelMOSFET GeneralDescription TheseN-ChannelenhancementmodepowerfieldeffecttransistorsareproducedusingFairchild’sproprietary,planarstripe,DMOStechnology. Thisadvancedtechnologyisespeciallytailoredtominimizeon-stateresistance,providesuperiorswitchingperformance,andwithstandh	FairchildFairchild Semiconductor 仙童半导体飞兆/仙童半导体公司	Fairchild
FQI28N15	文件：627.82 Kbytes Page：9 Pages	150VN-ChannelMOSFET GeneralDescription TheseN-ChannelenhancementmodepowerfieldeffecttransistorsareproducedusingFairchild’sproprietary,planarstripe,DMOStechnology. Thisadvancedtechnologyisespeciallytailoredtominimizeon-stateresistance,providesuperiorswitchingperformance,andwithstandh	FairchildFairchild Semiconductor 仙童半导体飞兆/仙童半导体公司	Fairchild
FQP28N15	文件：797.67 Kbytes Page：8 Pages	150VN-ChannelMOSFET 150VN-ChannelMOSFET	FairchildFairchild Semiconductor 仙童半导体飞兆/仙童半导体公司	Fairchild

产品属性

产品编号：
IXTQ28N15P
制造商：
IXYS
类别：
分立半导体产品 > 晶体管 - FET，MOSFET - 单个
系列：
Polar
包装：
管件
FET 类型：
N 通道
技术：
MOSFET（金属氧化物）
安装类型：
通孔
供应商器件封装：
TO-3P
封装/外壳：
TO-3P-3，SC-65-3
描述：
MOSFET N-CH TO3P

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