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IXTQ30N50P	文件：352.94 Kbytes Page：5 Pages	N-Channel Enhancement Mode Avalanche Rated N-Channel Enhancement Mode Avalanche Rated Features • International standard packages • Unclamped Inductive Switching (UIS) rated • Low package inductance - easy to drive and to protect Advantages • Easy to mount • Space savings • High power density 文件：352.94 Kbytes 页数：5 Pages	IXYS 艾赛斯	IXYS
IXTQ30N50P	文件：300.95 Kbytes Page：2 Pages	isc N-Channel MOSFET Transistor 文件：300.95 Kbytes 页数：2 Pages	ISC 无锡固电	ISC
IXTQ30N50P	文件：300 bytes Page：1 Pages	N通道标准MOSFET • 国际标准包装 \n• 动态dv/dt评级\n• 较低的RDS(on)和Qg\n• 雪崩评级\n• 较低的封装电感;	Littelfuse 力特	Littelfuse
IXTT30N50L	文件：148.68 Kbytes Page：5 Pages	N-Channel Enhancement Mode N-Channel Enhancement Mode Features ● Designed for linear operation ● International standard packages ● Unclamped Inductive Switching (UIS) rated. ● Molding epoxies meet UL 94 V-0 flammability classification ● Integrated gate resistor for easy paralleling ● Guaranteed FBSOA at 75°C Applica 文件：148.68 Kbytes 页数：5 Pages	IXYS 艾赛斯	IXYS
IXTT30N50P	文件：352.94 Kbytes Page：5 Pages	N-Channel Enhancement Mode Avalanche Rated N-Channel Enhancement Mode Avalanche Rated Features • International standard packages • Unclamped Inductive Switching (UIS) rated • Low package inductance - easy to drive and to protect Advantages • Easy to mount • Space savings • High power density 文件：352.94 Kbytes 页数：5 Pages	IXYS 艾赛斯	IXYS
IXTV30N50P	文件：294.01 Kbytes Page：2 Pages	isc N-Channel MOSFET Transistor 文件：294.01 Kbytes 页数：2 Pages	ISC 无锡固电	ISC

技术参数

Maximum On-Resistance @ 25 ℃ (Ohm)：
0.2
Continuous Drain Current @ 25 ℃ (A)：
30
Gate Charge (nC)：
70
Thermal resistance [junction-case](K/W)：
0.27
Configuration：
Single
Package Type：
TO-3P
Typical Reverse Recovery Time (ns)：
400
Power Dissipation (W)：
460
Sample Request：
No

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深圳市一线半导体有限公司	IXTQ30N50P	IXYS	24+	TO-3P	8866		询价
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