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IXTQ30N50P	文件：352.94 Kbytes Page：5 Pages	N-Channel Enhancement Mode Avalanche Rated N-ChannelEnhancementModeAvalancheRated Features •Internationalstandardpackages •UnclampedInductiveSwitching(UIS)rated •Lowpackageinductance-easytodriveandtoprotect Advantages •Easytomount •Spacesavings •Highpowerdensity	IXYS IXYS Corporation	IXYS
IXTQ30N50P	文件：300.95 Kbytes Page：2 Pages	isc N-Channel MOSFET Transistor	ISCInchange Semiconductor Company Limited 无锡固电无锡固电半导体股份有限公司	ISC
IXTT30N50L	文件：148.68 Kbytes Page：5 Pages	N-ChannelEnhancementMode N-ChannelEnhancementMode Features ●Designedforlinearoperation ●Internationalstandardpackages ●UnclampedInductiveSwitching(UIS)rated. ●MoldingepoxiesmeetUL94V-0flammabilityclassification ●Integratedgateresistorforeasyparalleling ●GuaranteedFBSOAat75°C Applica	IXYS IXYS Corporation	IXYS
IXTT30N50P	文件：352.94 Kbytes Page：5 Pages	N-ChannelEnhancementModeAvalancheRated N-ChannelEnhancementModeAvalancheRated Features •Internationalstandardpackages •UnclampedInductiveSwitching(UIS)rated •Lowpackageinductance-easytodriveandtoprotect Advantages •Easytomount •Spacesavings •Highpowerdensity	IXYS IXYS Corporation	IXYS
IXTV30N50P	文件：352.94 Kbytes Page：5 Pages	N-ChannelEnhancementModeAvalancheRated N-ChannelEnhancementModeAvalancheRated Features •Internationalstandardpackages •UnclampedInductiveSwitching(UIS)rated •Lowpackageinductance-easytodriveandtoprotect Advantages •Easytomount •Spacesavings •Highpowerdensity	IXYS IXYS Corporation	IXYS
IXTV30N50P	文件：294.01 Kbytes Page：2 Pages	iscN-ChannelMOSFETTransistor	ISCInchange Semiconductor Company Limited 无锡固电无锡固电半导体股份有限公司	ISC
IXTV30N50PS	文件：352.94 Kbytes Page：5 Pages	N-ChannelEnhancementModeAvalancheRated N-ChannelEnhancementModeAvalancheRated Features •Internationalstandardpackages •UnclampedInductiveSwitching(UIS)rated •Lowpackageinductance-easytodriveandtoprotect Advantages •Easytomount •Spacesavings •Highpowerdensity	IXYS IXYS Corporation	IXYS
LPM30N50	文件：472.55 Kbytes Page：4 Pages	SingleN-Channel,30V,50A,PowerMOSFET	POWERLowpower Semiconductor inc 微源半导体微源半导体股份有限公司	POWER
MTE30N50E	文件：229.08 Kbytes Page：8 Pages	TMOSPOWERFET30AMPERES500VOLTSRDS(on)=0.150OHM ISOTOPTMOSE-FETPowerFieldEffectTransistor N–ChannelEnhancement–ModeSiliconGate ThisadvancedTMOSE–FETisdesignedtowithstandhighenergyintheavalanchemodeandswitchefficiently.Thisnewenergydesignalsooffersadrain–to–sourcediodewithfastrecoverytime.Designedforhig	MotorolaMotorola, Inc 摩托罗拉加尔文制造公司	Motorola
MTM30N50	文件：305.49 Kbytes Page：2 Pages	iscN-ChannelMOSFETTransistor FEATURES ·DrainCurrent-ID=30A@TC=25℃ ·DrainSourceVoltage-VDSS=500V(Min) ·StaticDrain-SourceOn-Resistance -RDS(on)=0.35Ω(Max)@VGS=10V DESCRIPTION ·Motordrive ·DC-DCconverter ·powerswitchandsolenoiddrive	ISCInchange Semiconductor Company Limited 无锡固电无锡固电半导体股份有限公司	ISC

详细参数

型号：
IXTQ30N50P
功能描述：
MOSFET 30.0 Amps 500 V 0.2 Ohm Rds
RoHS：
否
制造商：
STMicroelectronics
晶体管极性：
N-Channel
汲极/源极击穿电压：
650 V
闸/源击穿电压：
25 V
漏极连续电流：
130 A 电阻汲极/源极
RDS（导通）：
0.014 Ohms
配置：
Single
安装风格：
Through Hole
封装/箱体：
Max247
封装：
Tube

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