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IXTQ40N50Q	文件：561.48 Kbytes Page：4 Pages	High Current Power MOSFET Q-Class	IXYS IXYS Corporation	IXYS
IXTQ40N50Q	文件：300.92 Kbytes Page：2 Pages	isc N-Channel MOSFET Transistor	ISCInchange Semiconductor Company Limited 无锡固电无锡固电半导体股份有限公司	ISC
FQL40N50	文件：311.52 Kbytes Page：2 Pages	iscN-ChannelMOSFETTransistor	ISCInchange Semiconductor Company Limited 无锡固电无锡固电半导体股份有限公司	ISC
FQL40N50	文件：623.42 Kbytes Page：8 Pages	500VN-ChannelMOSFET GeneralDescription TheseN-ChannelenhancementmodepowerfieldeffecttransistorsareproducedusingFairchild’sproprietary,planarstripe,DMOStechnology. Thisadvancedtechnologyhasbeenespeciallytailoredtominimizeon-stateresistance,providesuperiorswitchingperformance,andwiths	FairchildFairchild Semiconductor 仙童半导体飞兆/仙童半导体公司	Fairchild
FQL40N50F	文件：635.87 Kbytes Page：8 Pages	500VN-ChannelMOSFET GeneralDescription TheseN-ChannelenhancementmodepowerfieldeffecttransistorsareproducedusingFairchild’sproprietary,planarstripe,DMOStechnology. Thisadvancedtechnologyhasbeenespeciallytailoredtominimizeon-stateresistance,providesuperiorswitchingperformance,andwiths	FairchildFairchild Semiconductor 仙童半导体飞兆/仙童半导体公司	Fairchild
FQL40N50F	文件：309.18 Kbytes Page：2 Pages	N-ChannelMOSFETTransistor FEATURES ·DrainCurrent-ID=40A@TC=25℃ ·DrainSourceVoltage-VDSS=500V(Min) ·StaticDrain-SourceOn-Resistance -RDS(on)=0.11Ω(Max)@VGS=10V APPLICATIONS ·SwitchedModePowerSupplies ·FPC ·ElectronicLampBallasts	ISCInchange Semiconductor Company Limited 无锡固电无锡固电半导体股份有限公司	ISC
IRFPS40N50L	文件：347.47 Kbytes Page：2 Pages	iscN-ChannelMOSFETTransistor	ISCInchange Semiconductor Company Limited 无锡固电无锡固电半导体股份有限公司	ISC
IRFPS40N50L	文件：111.42 Kbytes Page：8 Pages	PowerMOSFET(Vdss=500V,Rds(on)typ.=0.087ohm,Id=46A) Benefits ●LowGateChargeQgresultsinSimpleDriveRequirement ●ImprovedGate,AvalancheandDynamicdv/dt Ruggedness ●FullyCharacterizedCapacitanceandAvalancheVoltage andCurrent ●LowTrrandSoftDiodeRecovery ●HighPerformanceOptimisedAnti-parallelDiode Applications	IRF International Rectifier	IRF
IRFPS40N50L	文件：191.04 Kbytes Page：9 Pages	PowerMOSFET	VishayVishay Siliconix 威世科技威世科技半导体	Vishay
IRFPS40N50L	文件：163.5 Kbytes Page：8 Pages	PowerMOSFET FEATURES •SuperfastBodyDiodeEliminatestheNeedfor ExternalDiodesinZVSApplications •LowerGateChargeResultsinSimplerDrive Requirements •EnhanceddV/dtCapabilitiesOfferImprovedRuggedness •HigherGateVoltageThresholdOffersImprovedNoise Immunity •Compliant	VishayVishay Siliconix 威世科技威世科技半导体	Vishay

详细参数

型号：
IXTQ40N50Q
功能描述：
MOSFET 40 Amps 500 V 0.14 W Rds
RoHS：
否
制造商：
STMicroelectronics
晶体管极性：
N-Channel
汲极/源极击穿电压：
650 V
闸/源击穿电压：
25 V
漏极连续电流：
130 A 电阻汲极/源极
RDS（导通）：
0.014 Ohms
配置：
Single
安装风格：
Through Hole
封装/箱体：
Max247
封装：
Tube

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